Toshiba 最新分立半导体

分离式半导体类型

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Toshiba TRSx SiC SCHOTTKY势垒二极管
Toshiba TRSx SiC SCHOTTKY势垒二极管
04/04/2025
这些SiC SCHOTTKY势垒二极管的重复峰值反向电压(VRRM)额定值为1200V。
Toshiba L-TOGL™和S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N沟道MOSFET
Toshiba L-TOGL™和S-TOGL AEC-Q 40V/80V/100V N沟道MOSFET
10/14/2024
采用L-TOGL™软件包,以满足汽车设备中对48V电池日益增长的需求。
Toshiba TKx硅N沟道MOSFET
Toshiba TKx硅N沟道MOSFET
09/13/2024
有U-MOSX-H和DTMOSVI类型可供选择,具有卓越的性能特性。
Toshiba TPH1400CQ5硅N沟道MOSFET
Toshiba TPH1400CQ5硅N沟道MOSFET
09/10/2024
8引脚SMT功率MOSFET,设计采用U-MOSX-H代沟槽工艺。
Toshiba TPH1100CQ5硅N沟道MOSFET
Toshiba TPH1100CQ5硅N沟道MOSFET
08/12/2024
采用8引脚SMT功率MOSFET,设计采用U-MOSX-H代沟槽工艺。
Toshiba UMOS9-H硅N沟道MOSFET
Toshiba UMOS9-H硅N沟道MOSFET
05/13/2024
非常适用于高效直流-直流转换器、开关稳压器和 电机驱动器。
Toshiba XCUZ齐纳二极管
Toshiba XCUZ齐纳二极管
01/23/2024
设计用于汽车应用,功耗为600mW,符合AEC-Q101标准。
Toshiba TRSx65H碳化硅肖特基势垒二极管
Toshiba TRSx65H碳化硅肖特基势垒二极管
07/26/2023
650V器件,基于采用肖特基金属的第三代技术。
Toshiba SSM14N956L MOSFET
Toshiba SSM14N956L MOSFET
06/09/2023
具有低源-源导通电阻,符合RoHS指令。
Toshiba XPQR3004PB 40V 400A车用MOSFET
Toshiba XPQR3004PB 40V 400A车用MOSFET
02/13/2023
其RDS(ON)为0.23mΩ(典型值),阈值电压(Vth)为2V至3V,能力为400A。
Toshiba CSLZ齐纳二极管
Toshiba CSLZ齐纳二极管
11/21/2022
采用小型SL2封装。
Toshiba 650V与1200V第三代碳化硅MOSFET
Toshiba 650V与1200V第三代碳化硅MOSFET
07/11/2022
设计用于400V和800V AC输入AC-DC电源等高功率工业应用。
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Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
09/09/2025
逻辑级兼容,开关速度快,完全符合AEC-Q101标准,工作温度为175°C。
Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
07/03/2025
40V、1.2mΩ 或12mΩ 、双向氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。
Bourns SMF4C和SMF4C-Q TVS二极管
Bourns SMF4C和SMF4C-Q TVS二极管
07/03/2025
保护各种电子设备免受电感负载开关引起的电压瞬变。
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
07/03/2025
常闭电子模式设备,具有卓越的性能和极低的导通电阻。
Semtech RClamp03301H-RClamp0801H ESD和EOS保护
Semtech RClamp03301H-RClamp0801H ESD和EOS保护
07/03/2025
ESD和EOS保护专门为高速以太网线路而设计。
ROHM Semiconductor 超快速恢复二极管
ROHM Semiconductor 超快速恢复二极管
07/02/2025
具有低正向电压和低开关损耗,非常适合用于一般整流应用。
Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30mΩ GaN FET
Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30mΩ GaN FET
07/01/2025
这些FET采用TOLT、TO247和TOLL封装,使用了Gen IV Plus SuperGaN®平台。
ROHM Semiconductor 高效率肖特基势垒二极管
ROHM Semiconductor 高效率肖特基势垒二极管
07/01/2025
设计目的是改善低VF 和低IR之间的平衡关系,适用于续流二极管。
ROHM Semiconductor 超低IR肖特基势垒二极管
ROHM Semiconductor 超低IR肖特基势垒二极管
06/30/2025
具有200V重复峰值反向电压、高可靠性和超低反向电流。
ROHM Semiconductor 小信号双通道MOSFET
ROHM Semiconductor 小信号双通道MOSFET
06/30/2025
具有低导通电阻和快速开关特性,非常适合用于电机驱动器。
Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions
Micro Commercial Components (MCC) Instrument Cluster Solutions
06/30/2025
Provides support for real-time vehicle data in today’s digitally enhanced dashboards.
Semtech uClamp5591P μClamp® TVS二极管
Semtech uClamp5591P μClamp® TVS二极管
06/27/2025
采用大横截面积的结传导大瞬态电流。
Semtech RClamp03348P RailClamp® ESD保护二极管
Semtech RClamp03348P RailClamp® ESD保护二极管
06/27/2025
设计让ESD峰值钳位和 TLP钳位电压都做到最小。
onsemi NVMFS4C03NWFET1G单N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFS4C03NWFET1G单N沟道功率MOSFET
06/23/2025
该产品可在紧凑型5mmx6mm PowerFLAT封装中提供出色的热性能和低RDS(on)。
Littelfuse IXSJxN120R1 1200 V SiC功率MOSFET
Littelfuse IXSJxN120R1 1200 V SiC功率MOSFET
06/23/2025
专为要求苛刻的电源转换应用而设计的高性能器件。
Littelfuse DFNAK3 TVS二极管
Littelfuse DFNAK3 TVS二极管
06/23/2025
采用紧凑的表面贴装封装,可提供3kA 浪涌电流,并符合IEC 61000-4-5标准。
onsemi NFAM智能电源模块(IPM)
onsemi NFAM智能电源模块(IPM)
06/23/2025
高度集成的紧凑型解决方案,旨在实现高效可靠的电机控制。
ROHM Semiconductor RBx8肖特基势垒二极管
ROHM Semiconductor RBx8肖特基势垒二极管
06/18/2025
具有高可靠性和低IR,采用硅外延平面结构,IO高达1A。
ROHM Semiconductor 汽车用40A和80A功率MOSFET
ROHM Semiconductor 汽车用40A和80A功率MOSFET
06/16/2025
具有低导通电阻,非常适合用于ADAS、汽车和照明应用。
PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
06/09/2025
These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).
onsemi NVMFDx 100V双N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFDx 100V双N沟道功率MOSFET
06/09/2025
采用节省空间的DFN-8封装,具有低RDS(on) 值和快速开关特性。 
Littelfuse SC1122-01ETG TVS二极管
Littelfuse SC1122-01ETG TVS二极管
06/04/2025
22V、60pF、9A单向离散TVS二极管,提供通用ESD保护。
Littelfuse SC1230-01UTG TVS二极管
Littelfuse SC1230-01UTG TVS二极管
06/04/2025
22V、60pF、9A单向离散TVS二极管,提供通用ESD保护。
ROHM Semiconductor RV7E035AT P沟道小信号MOSFET
ROHM Semiconductor RV7E035AT P沟道小信号MOSFET
06/04/2025
一款紧凑型高性能MOSFET,设计用于低压开关应用。
Vishay VS-E7JX0x12-M3/HM3 Gen 7 FRED Pt®整流器
Vishay VS-E7JX0x12-M3/HM3 Gen 7 FRED Pt®整流器
06/03/2025
1200V、1A或2A超快整流器,采用SlimSMA HV (DO-221AC)封装。
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