STMicroelectronics 最新晶体管

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STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT
05/22/2025
采用先进、专有的沟槽式栅极场终止型结构打造。
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT（带二极管）
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT（带二极管）
12/24/2024
在半桥拓扑中集成了2个IGBT和二极管。
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG汽车级IGBT
STMicroelectronics STGHU30M65DF2AG汽车级IGBT
09/12/2024
采用先进的沟槽式栅极场终止型结构进行开发。
STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG汽车级IGBT
STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG汽车级IGBT
09/12/2024
设计采用先进、专有的沟槽式栅极场终止型结构。
STMicroelectronics N沟道MDmesh K6功率MOSFET
STMicroelectronics N沟道MDmesh K6功率MOSFET
07/22/2024
该模块的击穿电压为800V，齐纳保护，100%雪崩测试，非常适用于反激式转换器和LED灯。
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG汽车级MS系列IGBT
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG汽车级MS系列IGBT
07/03/2024
1200V、40A、低损耗、低热阻，采用TO-247长引线封装。
STMicroelectronics STripFET F8N通道功率MOSFET
STMicroelectronics STripFET F8N通道功率MOSFET
12/01/2023
符合AEC-Q101标准，提供30V至150V的全面封装解决方案
STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A高速H系列IGBT
STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A高速H系列IGBT
10/31/2023
设计用于先进的沟槽式栅极场终止型结构。
STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32电源模块
STMicroelectronics M1F45M12W2-1LA ACEPACK DMT‑32电源模块
10/19/2023
设计用于混合动力和电动汽车的直流/直流转换器级。
STMicroelectronics STP80N1K1K6 N沟道功率MOSFET
STMicroelectronics STP80N1K1K6 N沟道功率MOSFET
10/01/2023
采用MDmesh K6技术，利用了20年的超级结技术经验。
STMicroelectronics SH63N65DM6AG功率MOSFET
STMicroelectronics SH63N65DM6AG功率MOSFET
08/18/2023
汽车级N通道MDmesh DM6半桥拓扑功率MOSFET具有650V阻断电压。
STMicroelectronics STL120N10F8 100V N沟道STripFET MOSFET
STMicroelectronics STL120N10F8 100V N沟道STripFET MOSFET
05/08/2023
该器件采用ST的STripFET F8技术，具有增强型沟道栅极结构。
STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 650V 80A HB系列IGBT
STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 650V 80A HB系列IGBT
03/24/2023
具有两个IGBT和二极管，采用紧凑、坚固的表面贴装封装。
STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET
STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET
01/25/2023
高电压N通道功率MOSFET，具有齐纳保护功能以及100%通过雪崩测试。
STMicroelectronics STP80N450K6 800V N沟道功率MOSFET
STMicroelectronics STP80N450K6 800V N沟道功率MOSFET
10/19/2022
采用终极MDmesh K6技术设计的高压N沟道功率MOSFET。
STMicroelectronics STL325N4LF8AG N通道功率MOSFET
STMicroelectronics STL325N4LF8AG N通道功率MOSFET
06/24/2022
采用STripFET F8技术，具有增强型沟槽栅极结构。
STMicroelectronics STL320N4LF8 N沟道STripFET F8功率MOSFET
STMicroelectronics STL320N4LF8 N沟道STripFET F8功率MOSFET
06/21/2022
采用STripFET F8沟槽式MOSFET技术制造而成。
STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9功率MOSFET
STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9功率MOSFET
05/27/2022
适用于中/高压，具有非常低的单位面积RDS(on)，联接有快速恢复二极管。
STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9功率MOSFET
STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9功率MOSFET
05/25/2022
设计用于中/高压MOSFET，具有非常低的单位面积RDS(on)。
STMicroelectronics STD80N240K6 800V 16A MDmesh K6功率MOSFET
STMicroelectronics STD80N240K6 800V 16A MDmesh K6功率MOSFET
05/04/2022
具有出色的RDS(on) x 面积和低Qg，可实现高开关速度和低损耗。
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Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
09/09/2025
逻辑级兼容，开关速度快，完全符合AEC-Q101标准，工作温度为175°C。
Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
07/03/2025
40V、1.2mΩ 或12mΩ 、双向氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
07/03/2025
常闭电子模式设备，具有卓越的性能和极低的导通电阻。
Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30mΩ GaN FET
Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30mΩ GaN FET
07/01/2025
这些FET采用TOLT、TO247和TOLL封装，使用了Gen IV Plus SuperGaN®平台。
ROHM Semiconductor 小信号双通道MOSFET
ROHM Semiconductor 小信号双通道MOSFET
06/30/2025
具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于电机驱动器。
Littelfuse IXSJxN120R1 1200 V SiC功率MOSFET
Littelfuse IXSJxN120R1 1200 V SiC功率MOSFET
06/23/2025
专为要求苛刻的电源转换应用而设计的高性能器件。
onsemi NVMFS4C03NWFET1G单N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFS4C03NWFET1G单N沟道功率MOSFET
06/23/2025
该产品可在紧凑型5mmx6mm PowerFLAT封装中提供出色的热性能和低RDS(on)。
ROHM Semiconductor 汽车用40A和80A功率MOSFET
ROHM Semiconductor 汽车用40A和80A功率MOSFET
06/16/2025
具有低导通电阻，非常适合用于ADAS、汽车和照明应用。
onsemi NVMFDx 100V双N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFDx 100V双N沟道功率MOSFET
06/09/2025
采用节省空间的DFN-8封装，具有低RDS(on) 值和快速开关特性。 
PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
06/09/2025
These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).
ROHM Semiconductor RV7E035AT P沟道小信号MOSFET
ROHM Semiconductor RV7E035AT P沟道小信号MOSFET
06/04/2025
一款紧凑型高性能MOSFET，设计用于低压开关应用。
Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs
Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs
06/03/2025
Features low on-resistance, reducing energy losses and improving overall system efficiency.
Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2碳化硅MOSFET
Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2碳化硅MOSFET
06/03/2025
汽车级和工业级MOSFET，最大漏极-源极导通电阻高达78mΩ。
Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650V功率MOSFET
Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650V功率MOSFET
06/03/2025
根据超级结（SJ）原理设计，具有低开关和导通损耗。
onsemi NXH015F120M3F1PTG碳化矽（SiC）模块
onsemi NXH015F120M3F1PTG碳化矽（SiC）模块
05/23/2025
该模块采用15mΩ/1200V M3S碳化硅 (SiC) MOSFET全桥和带三氧化二铝 (Al2O3) DBC陶瓷基板的热敏电阻，封装为F1型。
onsemi NVBG050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET
onsemi NVBG050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET
05/22/2025
最大76mΩ，在20V最大RDS(ON) 和1700V漏极至源极电压时。
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT
05/22/2025
采用先进、专有的沟槽式栅极场终止型结构打造。
Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor
Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor
05/15/2025
170W power transistor engineered for broadband applications spanning from HF up to 1400MHz.
Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors
Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors
05/15/2025
Designed for high-efficiency broadband applications across a frequency range from HF to 1400MHz.
Wolfspeed YM六单元碳化硅电源模块
Wolfspeed YM六单元碳化硅电源模块
05/14/2025
汽车级模块，设计用于实现无缝设计集成和耐用性。
onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET
onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET
05/13/2025
设计用于处理大电流，这对于直流-直流电源转换级至关重要。
APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
05/06/2025
Delivers high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications.
Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G5功率晶体管
Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G5功率晶体管
05/02/2025
设计工作在高频下具有出色的效率，使超快速开关成为可能。
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200V 功率MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200V 功率MOSFET
04/30/2025
提供优良栅极电荷 x RDS(on) 积 (FOM) 和低导通电阻RDS(on) 。
onsemi NVTFWS003N04XM MOSFET
onsemi NVTFWS003N04XM MOSFET
04/28/2025
低RDS(on) 和低电容，采用符合AEC-Q101标准的µ8FL 3.3mmx3.3mm小型封装。
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