onsemi 最新晶体管

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onsemi NVMFS4C03NWFET1G单N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFS4C03NWFET1G单N沟道功率MOSFET
06/23/2025
该产品可在紧凑型5mmx6mm PowerFLAT封装中提供出色的热性能和低RDS(on)。
onsemi NVMFDx 100V双N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFDx 100V双N沟道功率MOSFET
06/09/2025
采用节省空间的DFN-8封装，具有低RDS(on) 值和快速开关特性。 
onsemi NXH015F120M3F1PTG碳化矽（SiC）模块
onsemi NXH015F120M3F1PTG碳化矽（SiC）模块
05/23/2025
该模块采用15mΩ/1200V M3S碳化硅 (SiC) MOSFET全桥和带三氧化二铝 (Al2O3) DBC陶瓷基板的热敏电阻，封装为F1型。
onsemi NVBG050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET
onsemi NVBG050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET
05/22/2025
最大76mΩ，在20V最大RDS(ON) 和1700V漏极至源极电压时。
onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET
onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET
05/13/2025
设计用于处理大电流，这对于直流-直流电源转换级至关重要。
onsemi NVTFWS003N04XM MOSFET
onsemi NVTFWS003N04XM MOSFET
04/28/2025
低RDS(on) 和低电容，采用符合AEC-Q101标准的µ8FL 3.3mmx3.3mm小型封装。
onsemi NVTFWS1D9N04XM MOSFET
onsemi NVTFWS1D9N04XM MOSFET
04/28/2025
具有低RDS(on) 和低电容，采用符合AEC-Q101标准的3.3mm x 3.3mm小型封装。
onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET
onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET
04/28/2025
具有低QRR 、RDS(on) 和QG，可最大限度降低驱动器损耗和导通损耗。
onsemi NVMFWS0D45N04XM MOSFET
onsemi NVMFWS0D45N04XM MOSFET
04/17/2025
40V、469A、单N沟道、STD栅极MOSFET，采用SO8FL封装。
onsemi NVTFWS002N04XM MOSFET
onsemi NVTFWS002N04XM MOSFET
04/17/2025
具有低RDS(on) 和低电容，采用符合AEC-Q101标准的3.3mm x 3.3mm小尺寸封装。
onsemi NVMFWS4D0N04XM MOSFET
onsemi NVMFWS4D0N04XM MOSFET
04/17/2025
具有低RDS(on) 和低电容，采用符合AEC-Q101标准的SO-8FL 5mmx6mm小尺寸封装。
onsemi NVMFWS1D7N04XM MOSFET
onsemi NVMFWS1D7N04XM MOSFET
04/17/2025
40V、154A、单N沟道、STD栅极MOSFET，采用SO8FL封装。
onsemi 机器视觉
onsemi 机器视觉
03/18/2025
各种图像传感器解决方案，从VGA到45MP，满足机器视觉需求。
onsemi TF412 N沟道JFET
onsemi TF412 N沟道JFET
03/05/2025
专为低频通用放大器和阻抗变换器应用而设计。
onsemi NTTFD1D8N02P1E N 通道 MOSFET
onsemi NTTFD1D8N02P1E N 通道 MOSFET
03/05/2025
非对称双器件，具有3.3mm x 3.3mm小尺寸，设计紧凑。
onsemi NST807通用PNP晶体管
onsemi NST807通用PNP晶体管
03/03/2025
高性能、可靠的晶体管，饱和电压低，开关速度快
onsemi NST817通用NPN晶体管
onsemi NST817通用NPN晶体管
03/03/2025
为需要高效高效运行晶体管的电路设计提供可靠的解决方案。
onsemi NVH4L050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET
onsemi NVH4L050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET
02/20/2025
在VGS = 20V时，典型RDS(on)为53mΩ，性能卓越。
onsemi NTBL032N065M3S碳化矽（SiC）MOSFET
onsemi NTBL032N065M3S碳化矽（SiC）MOSFET
02/20/2025
专为快速开关应用而设计，性能可靠。
onsemi NTMFSS0D9N03P8 N 通道 MOSFET
onsemi NTMFSS0D9N03P8 N 通道 MOSFET
02/14/2025
电源关断型30V单N沟道器件，具有低漏极电阻和栅极电荷。
onsemi NTMFS003P03P8Z P沟道MOSFET
onsemi NTMFS003P03P8Z P沟道MOSFET
02/12/2025
在5mmx6mm中具有-30V、单MOSFET，节省空间，热传导效果极佳。
onsemi MUN5136数字晶体管
onsemi MUN5136数字晶体管
02/07/2025
设计用于替代单个设备及其外部电阻偏置网络。
onsemi NSS100xCL通用低VCE(sat)晶体管
onsemi NSS100xCL通用低VCE(sat)晶体管
12/20/2024
高性能双极结型晶体管，设计用于汽车和要求苛刻的应用。
onsemi 组合场效应晶体管
onsemi 组合场效应晶体管
11/26/2024
在一个紧凑型封装中结合了低RDS(on) SiC JFET与Si MOSFET的设备。
onsemi NCV8406DD双路自保护低侧驱动器
onsemi NCV8406DD双路自保护低侧驱动器
11/07/2024
一款双路保护的低侧智能分立器件，具有温度和电流限制功能。
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    Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
    Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
    09/09/2025
    逻辑级兼容，开关速度快，完全符合AEC-Q101标准，工作温度为175°C。
    Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
    Nexperia GANB1R2-040QBA和GANB012-040CBA GaN HEMT
    07/03/2025
    40V、1.2mΩ 或12mΩ 、双向氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。
    Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
    Nexperia GANE7R0/GANE2R7/GANE1R8 100V GaN FET
    07/03/2025
    常闭电子模式设备，具有卓越的性能和极低的导通电阻。
    Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30mΩ GaN FET
    Renesas Electronics TP65H030G4Px 650 V 30mΩ GaN FET
    07/01/2025
    这些FET采用TOLT、TO247和TOLL封装，使用了Gen IV Plus SuperGaN®平台。
    ROHM Semiconductor 小信号双通道MOSFET
    ROHM Semiconductor 小信号双通道MOSFET
    06/30/2025
    具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于电机驱动器。
    onsemi NVMFS4C03NWFET1G单N沟道功率MOSFET
    onsemi NVMFS4C03NWFET1G单N沟道功率MOSFET
    06/23/2025
    该产品可在紧凑型5mmx6mm PowerFLAT封装中提供出色的热性能和低RDS(on)。
    Littelfuse IXSJxN120R1 1200 V SiC功率MOSFET
    Littelfuse IXSJxN120R1 1200 V SiC功率MOSFET
    06/23/2025
    专为要求苛刻的电源转换应用而设计的高性能器件。
    ROHM Semiconductor 汽车用40A和80A功率MOSFET
    ROHM Semiconductor 汽车用40A和80A功率MOSFET
    06/16/2025
    具有低导通电阻，非常适合用于ADAS、汽车和照明应用。
    onsemi NVMFDx 100V双N沟道功率MOSFET
    onsemi NVMFDx 100V双N沟道功率MOSFET
    06/09/2025
    采用节省空间的DFN-8封装，具有低RDS(on) 值和快速开关特性。 
    PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
    PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
    06/09/2025
    These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).
    ROHM Semiconductor RV7E035AT P沟道小信号MOSFET
    ROHM Semiconductor RV7E035AT P沟道小信号MOSFET
    06/04/2025
    一款紧凑型高性能MOSFET，设计用于低压开关应用。
    Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650V功率MOSFET
    Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650V功率MOSFET
    06/03/2025
    根据超级结（SJ）原理设计，具有低开关和导通损耗。
    Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs
    Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs
    06/03/2025
    Features low on-resistance, reducing energy losses and improving overall system efficiency.
    Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2碳化硅MOSFET
    Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2碳化硅MOSFET
    06/03/2025
    汽车级和工业级MOSFET，最大漏极-源极导通电阻高达78mΩ。
    onsemi NXH015F120M3F1PTG碳化矽（SiC）模块
    onsemi NXH015F120M3F1PTG碳化矽（SiC）模块
    05/23/2025
    该模块采用15mΩ/1200V M3S碳化硅 (SiC) MOSFET全桥和带三氧化二铝 (Al2O3) DBC陶瓷基板的热敏电阻，封装为F1型。
    onsemi NVBG050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET
    onsemi NVBG050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET
    05/22/2025
    最大76mΩ，在20V最大RDS(ON) 和1700V漏极至源极电压时。
    STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT
    STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1600V IH2系列IGBT
    05/22/2025
    采用先进、专有的沟槽式栅极场终止型结构打造。
    Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors
    Ampleon BLF981/BLF981S LDMOS Power Transistors
    05/15/2025
    Designed for high-efficiency broadband applications across a frequency range from HF to 1400MHz.
    Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor
    Ampleon BLP981 LDMOS Power Transistor
    05/15/2025
    170W power transistor engineered for broadband applications spanning from HF up to 1400MHz.
    Wolfspeed YM六单元碳化硅电源模块
    Wolfspeed YM六单元碳化硅电源模块
    05/14/2025
    汽车级模块，设计用于实现无缝设计集成和耐用性。
    onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET
    onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET
    05/13/2025
    设计用于处理大电流，这对于直流-直流电源转换级至关重要。
    APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
    APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
    05/06/2025
    Delivers high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications.
    Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G5功率晶体管
    Infineon Technologies 700V CoolGaN™ G5功率晶体管
    05/02/2025
    设计工作在高频下具有出色的效率，使超快速开关成为可能。
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200V 功率MOSFET
    Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200V 功率MOSFET
    04/30/2025
    提供优良栅极电荷 x RDS(on) 积 (FOM) 和低导通电阻RDS(on) 。
    onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET
    onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET
    04/28/2025
    具有低QRR 、RDS(on) 和QG，可最大限度降低驱动器损耗和导通损耗。
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