最新碳化硅MOSFET

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onsemi NVBG050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET
onsemi NVBG050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET
05/22/2025
最大76mΩ，在20V最大RDS(ON) 和1700V漏极至源极电压时。
onsemi NVH4L050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET
onsemi NVH4L050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET
02/20/2025
在VGS = 20V时，典型RDS(on)为53mΩ，性能卓越。
onsemi NTBL032N065M3S碳化矽（SiC）MOSFET
onsemi NTBL032N065M3S碳化矽（SiC）MOSFET
02/20/2025
专为快速开关应用而设计，性能可靠。
onsemi NTH4L018N075SC1 N沟道SiC MOSFET
onsemi NTH4L018N075SC1 N沟道SiC MOSFET
08/14/2024
低导通电阻、750V M2 EliteSiC MOSFET，采用紧凑型TO247-4L封装。
onsemi NTBG023N065M3S 23 mΩ EliteSiC MOSFET
onsemi NTBG023N065M3S 23 mΩ EliteSiC MOSFET
08/14/2024
采用M3S平面技术，用于快速开关应用，采用D2PAK-7L封装。
onsemi NTH4L023N065M3S SiC MOSFET
onsemi NTH4L023N065M3S SiC MOSFET
08/06/2024
具有650V额定阻断电压、153pF输出电容，采用TO-247-4L封装。
onsemi 650V EliteSiC (碳化硅) MOSFET
onsemi 650V EliteSiC (碳化硅) MOSFET
05/29/2024
与硅器件相比，该技术可提供出色的开关性能和更高的可靠性。
onsemi 热泵
onsemi 热泵
03/01/2024
热泵是全球向安全和可持续加热转变的基石。
onsemi NVHL060N065SC1 EliteSiC MOSFET
onsemi NVHL060N065SC1 EliteSiC MOSFET
02/28/2024
650V、60mΩ（典型值）、47A单N沟道MOSFET，采用紧凑、高效的设计。
onsemi NVHL015N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
onsemi NVHL015N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
02/28/2024
具有高效率、更快的工作频率和更高的功率密度。 
onsemi NVHL025N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET
onsemi NVHL025N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET
02/23/2024
EliteSiC 25mΩ 、650V MOSFET，具有出色的开关性能。
onsemi NVHL045N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET
onsemi NVHL045N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET
02/21/2024
采用EliteSiC技术，具有出色的开关性能。
onsemi NVHL070N120M3S EliteSiC汽车用碳化硅MOSFET
onsemi NVHL070N120M3S EliteSiC汽车用碳化硅MOSFET
01/30/2024
1200V M3S平面碳化硅MOSFET优化用于快速开关应用。
onsemi UF4SC120023B7S G4碳化硅（SiC）FET
onsemi UF4SC120023B7S G4碳化硅（SiC）FET
01/09/2024
1200V、23mΩ G4 SiC FET基于独特的级联电路配置。
onsemi NVHL075N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
onsemi NVHL075N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
11/13/2023
高性能器件，具有出色的特性。
onsemi NVH4L095N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
onsemi NVH4L095N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
11/13/2023
采用先进技术，可实现更好的开关性能和可靠性。
onsemi NVBG070N120M3S碳化硅 (SIC) MOSFET
onsemi NVBG070N120M3S碳化硅 (SIC) MOSFET
09/19/2023
1200V M3S平面EliteSiC MOSFET设计用于快速开关应用。
onsemi 栅极驱动器与EliteSiC的配对MOSFET
onsemi 栅极驱动器与EliteSiC的配对MOSFET
05/09/2023
完整的栅极驱动器和EliteSiC MOSFET产品组合，配对使用时可提高散热性能。
onsemi EliteSiC
onsemi EliteSiC
03/15/2023
可满足太阳能逆变器和电动汽车充电器等严苛应用的需求。
onsemi NVBG025N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
onsemi NVBG025N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
03/10/2023
与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。
onsemi NTHL075N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
onsemi NTHL075N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
03/10/2023
与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。
onsemi NTH4L028N170M1 1700V EliteSiC MOSFET
onsemi NTH4L028N170M1 1700V EliteSiC MOSFET
02/06/2023
为能源和工业驱动应用提供可靠、高效的性能。
onsemi NVBG022N120M3S碳化硅 (SiC) MOSFET
onsemi NVBG022N120M3S碳化硅 (SiC) MOSFET
01/11/2023
1200V M3S平面SiC MOSFET，优化用于快速开关应用，采用平面技术。
onsemi NVH4L015N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
onsemi NVH4L015N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
01/11/2023
与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。
onsemi NVH4L060N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
onsemi NVH4L060N065SC1碳化硅 (SiC) MOSFET
01/11/2023
与硅器件相比，具有出色的开关性能和更高的可靠性。
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    Littelfuse IXSJxN120R1 1200 V SiC功率MOSFET
    Littelfuse IXSJxN120R1 1200 V SiC功率MOSFET
    06/23/2025
    专为要求苛刻的电源转换应用而设计的高性能器件。
    Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2碳化硅MOSFET
    Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2碳化硅MOSFET
    06/03/2025
    汽车级和工业级MOSFET，最大漏极-源极导通电阻高达78mΩ。
    onsemi NVBG050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET
    onsemi NVBG050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET
    05/22/2025
    最大76mΩ，在20V最大RDS(ON) 和1700V漏极至源极电压时。
    APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
    APC-E Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
    05/06/2025
    Delivers high power, high frequency, and unmatched performance for demanding applications.
    Wolfspeed 1700V碳化硅MOSFET
    Wolfspeed 1700V碳化硅MOSFET
    04/17/2025
    为下一代电源转换提供更高的开关、系统效率和功率密度。
    IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET
    IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET
    03/06/2025
    单开关MOSFET，设有1200V、30mΩ 、79A工业级器件，采用TO263-7L封装。
    IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET
    IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET
    03/06/2025
    单开关MOSFET，设有1200V、80mΩ 、41A工业级器件，采用TO263-7L封装。
    onsemi NTBL032N065M3S碳化矽（SiC）MOSFET
    onsemi NTBL032N065M3S碳化矽（SiC）MOSFET
    02/20/2025
    专为快速开关应用而设计，性能可靠。
    onsemi NVH4L050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET
    onsemi NVH4L050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET
    02/20/2025
    在VGS = 20V时，典型RDS(on)为53mΩ，性能卓越。
    Central Semiconductor CDMS24783-120 N-Channel SiC MOSFET
    Central Semiconductor CDMS24783-120 N-Channel SiC MOSFET
    02/18/2025
    Offers a 1200V drain-source voltage for high-speed switching and fast reverse recovery applications
    IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH80N120L2KHV SiC MOSFET
    02/18/2025
    1200V、30mΩ和79A MOSFET，建议用于工业开关模式电源。
    IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET
    IXYS IXSH40N120L2KHV SiC MOSFET
    02/18/2025
    1200V、80mΩ和41A MOSFET，建议用于工业开关模式电源。
    Navitas Semiconductor 650V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs
    Navitas Semiconductor 650V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs
    09/06/2024
    Ideal for AI data center power supplies, EV charging, energy storage systems, and solar solutions.
    Micro Commercial Components (MCC) SICW0x 1200V SiC N沟道MOSFET
    Micro Commercial Components (MCC) SICW0x 1200V SiC N沟道MOSFET
    09/03/2024
    采用多功能TO-247-4、TO-247-4L和TO-247AB封装，可提高性能。
    Navitas Semiconductor Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs
    Navitas Semiconductor Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs
    09/03/2024
    Developed using a proprietary trench-assisted planar technology for high-speed performance.
    Navitas Semiconductor 1200V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs
    Navitas Semiconductor 1200V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs
    09/03/2024
    Enable 22kW, 800V bi-directional on-board chargers for Electric Vehicles (EVs).
    Micro Commercial Components (MCC) SICWx碳化硅（SiC）MOSFET
    Micro Commercial Components (MCC) SICWx碳化硅（SiC）MOSFET
    09/03/2024
    650V SiC MOSFET具备高速开关能力，采用TO-247封装。
    Infineon Technologies CoolSiC™ 400V G2碳化硅MOSFET
    Infineon Technologies CoolSiC™ 400V G2碳化硅MOSFET
    08/28/2024
    专为人工智能服务器电源和能量/存储器系统的AC/DC阶段而开发。
    Vishay MXP120A MaxSiC™ 1200V N沟道MOSFET
    Vishay MXP120A MaxSiC™ 1200V N沟道MOSFET
    08/26/2024
    具有快速切换速度、3μs短路耐受时间和139W最大功率耗散
    onsemi NTH4L018N075SC1 N沟道SiC MOSFET
    onsemi NTH4L018N075SC1 N沟道SiC MOSFET
    08/14/2024
    低导通电阻、750V M2 EliteSiC MOSFET，采用紧凑型TO247-4L封装。
    onsemi NTBG023N065M3S 23 mΩ EliteSiC MOSFET
    onsemi NTBG023N065M3S 23 mΩ EliteSiC MOSFET
    08/14/2024
    采用M3S平面技术，用于快速开关应用，采用D2PAK-7L封装。
    onsemi NTH4L023N065M3S SiC MOSFET
    onsemi NTH4L023N065M3S SiC MOSFET
    08/06/2024
    具有650V额定阻断电压、153pF输出电容，采用TO-247-4L封装。
    Micro Commercial Components (MCC) DC Fast Charging Solutions
    Micro Commercial Components (MCC) DC Fast Charging Solutions
    08/01/2024
    Supports EVs with high-performance components designed for speed, safety, and system efficiency.
    Diotec Semiconductor DIF065SIC0x0 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
    Diotec Semiconductor DIF065SIC0x0 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs
    07/26/2024
    Offers fast switching times and reduced noise levels in a SiC-wide bandgap material.
    Wolfspeed TO-247-4薄型1200V SiC功率MOSFET
    Wolfspeed TO-247-4薄型1200V SiC功率MOSFET
    07/03/2024
    提供高系统效率，降低开关损耗，并最大限度地减少栅极振荡。
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