最新双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

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Diotec Semiconductor Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs
Diotec Semiconductor Automotive Advanced Trench Technology MOSFETs
03/05/2025
Enhances performance by providing fast switching times and low total gate charge.
onsemi NST807通用PNP晶体管
onsemi NST807通用PNP晶体管
03/03/2025
高性能、可靠的晶体管，饱和电压低，开关速度快
onsemi NST817通用NPN晶体管
onsemi NST817通用NPN晶体管
03/03/2025
为需要高效高效运行晶体管的电路设计提供可靠的解决方案。
Nexperia BC5xPAS-Q 1A中等功率PNP晶体管
Nexperia BC5xPAS-Q 1A中等功率PNP晶体管
12/30/2024
通过AEC-Q101认证的PNP晶体管，采用超薄的 DFN2020D-3 (SOT1061D) SMD塑料封装。
onsemi NSS100xCL通用低VCE(sat)晶体管
onsemi NSS100xCL通用低VCE(sat)晶体管
12/20/2024
高性能双极结型晶体管，设计用于汽车和要求苛刻的应用。
Diodes Incorporated DXTN69060C 60V NPN超低VCE(SAT)晶体管
Diodes Incorporated DXTN69060C 60V NPN超低VCE(SAT)晶体管
11/14/2024
采用专有结构，可实现超低VCE(SAT) 性能。
onsemi NST856MTWFT PNP晶体管
onsemi NST856MTWFT PNP晶体管
10/22/2024
65 V、100 mA器件，设计用于通用放大器应用。
onsemi BCP53M PNP中等功率晶体管
onsemi BCP53M PNP中等功率晶体管
10/18/2024
设计用于通用放大器应用，采用DFN2020-3封装。
onsemi BCP56M NPN中等功率晶体管
onsemi BCP56M NPN中等功率晶体管
10/18/2024
设计用于通用放大器应用，采用DFN2020-3封装。
onsemi BC846BPDW1双极晶体管
onsemi BC846BPDW1双极晶体管
10/17/2024
采用SOT-363/SC-88封装，设计用于低功耗表面贴装应用。
onsemi NSS40300CT 双极晶体管
onsemi NSS40300CT 双极晶体管
10/07/2024
具有低饱和电压VCE(sat) 和大电流增益能力。
onsemi NST846MTWFT NPN晶体管
onsemi NST846MTWFT NPN晶体管
10/07/2024
该器件的工作参数为65V、100mA，专为通用放大器应用而设计。
onsemi NSV1C300CT双极功率晶体管
onsemi NSV1C300CT双极功率晶体管
10/04/2024
该器件的独特之处在于其超低饱和电压VCE(sat) 以及出色的大电流增益能力。
Nexperia PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q晶体管
Nexperia PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q晶体管
07/04/2024
具有低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流能力。
onsemi e2PowerEdge低VCE（sat）晶体管
onsemi e2PowerEdge低VCE（sat）晶体管
07/01/2024
这些表面贴装器件具有超低饱和电压（VCE(sat)）和大电流增益能力。
PANJIT MMDT2222ATB6-AU Dual Surface Mount NPN Transistor
PANJIT MMDT2222ATB6-AU Dual Surface Mount NPN Transistor
04/11/2024
AEC-Q101-qualified electrically isolated dual NPN switching transistor.
onsemi MSD1819A-R通用和低VCE晶体管
onsemi MSD1819A-R通用和低VCE晶体管
01/30/2024
设计用于通用放大器应用，具有低VCE < 0.5V。
onsemi NSV40301MZ4双极功率晶体管
onsemi NSV40301MZ4双极功率晶体管
12/29/2023
结合低饱和电压和高增益低VCE(sat) 的NPN晶体管。
PANJIT MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors
PANJIT MMBT5551W NPN Silicon High-Voltage Transistors
11/10/2023
Offer a collector-emitter voltage (VCE) of 160V and a collector current (IC) rating of 600mA.
Nexperia 采用DFN封装的小信号双极晶体管
Nexperia 采用DFN封装的小信号双极晶体管
11/02/2023
满足对车辆电子功能日益增长的需求。
Micro Commercial Components (MCC) DMMT3904HE3 Dual NPN Transistor
Micro Commercial Components (MCC) DMMT3904HE3 Dual NPN Transistor
09/25/2023
AEC-Q101 qualified small-signal Bipolar Junction Transistor (BJT) in an SOT-363 package.
Micro Commercial Components (MCC) MMBTA56HE3 PNP Amplifier Transistor
Micro Commercial Components (MCC) MMBTA56HE3 PNP Amplifier Transistor
09/25/2023
AEC-Q101 qualified general-purpose Bipolar Junction Transistor (BJT) in a SOT-23 package.
Micro Commercial Components (MCC) MMDT5401HE3 Dual PNP Transistor
Micro Commercial Components (MCC) MMDT5401HE3 Dual PNP Transistor
09/25/2023
AEC-Q101 qualified Bipolar Junction transistor (BJT) with 200mW power dissipation.
Micro Commercial Components (MCC) MMDT5551HE3 Dual NPN Transistor
Micro Commercial Components (MCC) MMDT5551HE3 Dual NPN Transistor
09/25/2023
AEC-Q101 qualified small-signal Bipolar Junction Transistor (BJT) with 600mA collector current.
Nexperia BJT DFN封装功率双极晶体管
Nexperia BJT DFN封装功率双极晶体管
07/06/2023
尺寸小巧，占用的电路板空间减少了约75%，并提供了更大的 设计灵活性。
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