Nexperia 最新MOSFET

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Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
09/09/2025
逻辑级兼容，开关速度快，完全符合AEC-Q101标准，工作温度为175°C。
Nexperia PXNx N沟道逻辑电平沟槽式MOSFET
Nexperia PXNx N沟道逻辑电平沟槽式MOSFET
04/14/2025
60V和100V MOSFET，专为各种应用中的高效电源管理而设计。
Nexperia 专用功率MOSFET
Nexperia 专用功率MOSFET
01/21/2025
综合成熟的MOSFET专业技术和对广泛的应用的理解，形成不断壮大的产品系列。
Nexperia 用于热插拔和软启动的CCPAK ASFET
Nexperia 用于热插拔和软启动的CCPAK ASFET
01/08/2025
在单个器件中提供可靠的线性模式、增强的SOA和低RDS(on) 。
Nexperia BUK7J2R4-80M N沟道MOSFET
Nexperia BUK7J2R4-80M N沟道MOSFET
08/30/2024
基于沟槽14低阻值分离栅极技术，采用LFPAK56E封装。
Nexperia NSF0x0120 N通道碳化硅MOSFET
Nexperia NSF0x0120 N通道碳化硅MOSFET
07/01/2024
采用标准7引脚TO-263塑料封装，具有出色的RDS(on) 温度稳定性。
Nexperia PSMNxRx-80YSF NextPower N沟道MOSFET
Nexperia PSMNxRx-80YSF NextPower N沟道MOSFET
06/24/2024
80V、标准电平栅极驱动MOSFET，具有低Qrr，实现更高效率和更低尖峰。
Nexperia PSMN047-100NSE N沟道ASFET
Nexperia PSMN047-100NSE N沟道ASFET
04/04/2024
100V、53mΩ ASFET在紧凑的2mm x 2mm占位面积中集成了增强型SOA。
Nexperia 2N7002AK沟道沟槽式MOSFET
Nexperia 2N7002AK沟道沟槽式MOSFET
04/04/2024
通过AEC-Q101认证的小型SMD塑料封装，采用沟槽式MOSFET技术。
Nexperia BSS138AK沟道沟槽式MOSFET
Nexperia BSS138AK沟道沟槽式MOSFET
04/04/2024
符合AEC-Q101标准的N沟道增强模式场效应晶体管(FET)，采用小型SMD封装。
Nexperia PSMN071-100NSE N沟道ASFET
Nexperia PSMN071-100NSE N沟道ASFET
02/28/2024
设计用于继电器替代、浪涌管理和电池管理应用。
Nexperia EMC优化的NextPowerS3 MOSFET
Nexperia EMC优化的NextPowerS3 MOSFET
02/28/2024
采用节省空间的LFPAK56封装，非常适合无刷直流电机控制应用。 
Nexperia BUK7Y1R0-40N和BUK7Y3R1-80M N沟道MOSFET
Nexperia BUK7Y1R0-40N和BUK7Y3R1-80M N沟道MOSFET
02/23/2024
设计和测试符合AEC-Q101的要求，具有高性能和高耐用性。
Nexperia BJT DFN封装功率双极晶体管
Nexperia BJT DFN封装功率双极晶体管
07/06/2023
尺寸小巧，占用的电路板空间减少了约75%，并提供了更大的 设计灵活性。
Nexperia PSMN025 N沟道MOSFET
Nexperia PSMN025 N沟道MOSFET
05/19/2023
双标准电平N沟道MOSFET，采用LFPAK56D（双电源SO8）封装。
Nexperia PSMN028 N沟道MOSFET
Nexperia PSMN028 N沟道MOSFET
05/19/2023
双标准电平N沟道MOSFET，采用LFPAK56D（双电源SO8）封装。
Nexperia PSMN1R9和PSMN2R3 N沟道MOSFET
Nexperia PSMN1R9和PSMN2R3 N沟道MOSFET
02/27/2023
设计用于实现超高性能和可靠性。
Nexperia SOT8015表面贴装封装产品
Nexperia SOT8015表面贴装封装产品
07/26/2022
采用塑料、无引线、超薄小外形封装，具有侧面可湿性侧翼 (SWF)。
Nexperia SOT23表面贴装封装产品
Nexperia SOT23表面贴装封装产品
07/26/2022
采用塑料、表面贴装、三个端子、1.9mm脚距、2.9mm x 1.3mm x 1mm封装。
Nexperia SOT323表面贴装封装产品
Nexperia SOT323表面贴装封装产品
07/26/2022
塑料、3引脚、1.3mm脚距、2mm x 1.25mm x 0.95mm主体表面贴装封装。
Nexperia PMPB17EP P沟道沟槽式MOSFET
Nexperia PMPB17EP P沟道沟槽式MOSFET
07/19/2022
30V P沟道沟槽式MOSFET，带增强模式场效应晶体管 (FET)。
Nexperia PXP0 P沟道沟槽式MOSFET
Nexperia PXP0 P沟道沟槽式MOSFET
06/20/2022
采用沟槽式MOSFET技术的增强模式场效应晶体管 (FET)。
Nexperia 2N7002H沟道沟槽式MOSFET
Nexperia 2N7002H沟道沟槽式MOSFET
04/28/2022
增强模式场效应晶体管 (FET) MOSFET。
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Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
Nexperia BUK9Q N沟道沟槽MOSFET
09/09/2025
逻辑级兼容，开关速度快，完全符合AEC-Q101标准，工作温度为175°C。
ROHM Semiconductor 小信号双通道MOSFET
ROHM Semiconductor 小信号双通道MOSFET
06/30/2025
具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于电机驱动器。
onsemi NVMFS4C03NWFET1G单N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFS4C03NWFET1G单N沟道功率MOSFET
06/23/2025
该产品可在紧凑型5mmx6mm PowerFLAT封装中提供出色的热性能和低RDS(on)。
ROHM Semiconductor 汽车用40A和80A功率MOSFET
ROHM Semiconductor 汽车用40A和80A功率MOSFET
06/16/2025
具有低导通电阻，非常适合用于ADAS、汽车和照明应用。
PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
PANJIT 50V Enhancement Mode MOSFETs
06/09/2025
These MOSFETs have advanced Trench process technology and offer a low RDS(ON).
onsemi NVMFDx 100V双N沟道功率MOSFET
onsemi NVMFDx 100V双N沟道功率MOSFET
06/09/2025
采用节省空间的DFN-8封装，具有低RDS(on) 值和快速开关特性。 
ROHM Semiconductor RV7E035AT P沟道小信号MOSFET
ROHM Semiconductor RV7E035AT P沟道小信号MOSFET
06/04/2025
一款紧凑型高性能MOSFET，设计用于低压开关应用。
Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650V功率MOSFET
Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650V功率MOSFET
06/03/2025
根据超级结（SJ）原理设计，具有低开关和导通损耗。
Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs
Torex Semiconductor XPJ101N04N8R & XPJ102N09N8R N-Channel MOSFETs
06/03/2025
Features low on-resistance, reducing energy losses and improving overall system efficiency.
onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET
onsemi NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench® MOSFET
05/13/2025
设计用于处理大电流，这对于直流-直流电源转换级至关重要。
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200V 功率MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 200V 功率MOSFET
04/30/2025
提供优良栅极电荷 x RDS(on) 积 (FOM) 和低导通电阻RDS(on) 。
onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET
onsemi NVBLS1D2N08X MOSFET
04/28/2025
具有低QRR 、RDS(on) 和QG，可最大限度降低驱动器损耗和导通损耗。
onsemi NVTFWS003N04XM MOSFET
onsemi NVTFWS003N04XM MOSFET
04/28/2025
低RDS(on) 和低电容，采用符合AEC-Q101标准的µ8FL 3.3mmx3.3mm小型封装。
onsemi NVTFWS1D9N04XM MOSFET
onsemi NVTFWS1D9N04XM MOSFET
04/28/2025
具有低RDS(on) 和低电容，采用符合AEC-Q101标准的3.3mm x 3.3mm小型封装。
PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs
PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs
04/21/2025
Advanced trench process technology minimizes RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness.
onsemi NVMFWS4D0N04XM MOSFET
onsemi NVMFWS4D0N04XM MOSFET
04/17/2025
具有低RDS(on) 和低电容，采用符合AEC-Q101标准的SO-8FL 5mmx6mm小尺寸封装。
onsemi NVTFWS002N04XM MOSFET
onsemi NVTFWS002N04XM MOSFET
04/17/2025
具有低RDS(on) 和低电容，采用符合AEC-Q101标准的3.3mm x 3.3mm小尺寸封装。
onsemi NVMFWS1D7N04XM MOSFET
onsemi NVMFWS1D7N04XM MOSFET
04/17/2025
40V、154A、单N沟道、STD栅极MOSFET，采用SO8FL封装。
onsemi NVMFWS0D45N04XM MOSFET
onsemi NVMFWS0D45N04XM MOSFET
04/17/2025
40V、469A、单N沟道、STD栅极MOSFET，采用SO8FL封装。
Micro Commercial Components (MCC) MCG4D8N04Y 40V Low RDS(on) N-Channel MOSFETs
Micro Commercial Components (MCC) MCG4D8N04Y 40V Low RDS(on) N-Channel MOSFETs
04/16/2025
Use Split Gate Trench power MOSFET technology and are available in industrial and automotive grade.
Nexperia PXNx N沟道逻辑电平沟槽式MOSFET
Nexperia PXNx N沟道逻辑电平沟槽式MOSFET
04/14/2025
60V和100V MOSFET，专为各种应用中的高效电源管理而设计。
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 150V功率MOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 150V功率MOSFET
04/11/2025
具备业内领先的低RDS(on) 、改进的开关性能和出色的EMI表现。
Renesas Electronics REXFET-1 100V和150V功率MOSFET
Renesas Electronics REXFET-1 100V和150V功率MOSFET
03/21/2025
该器件采用可湿润侧边引线的分离栅极技术，非常适合大电流应用。
onsemi 机器视觉
onsemi 机器视觉
03/18/2025
各种图像传感器解决方案，从VGA到45MP，满足机器视觉需求。
IXYS IXFP34N65X2W功率MOSFET
IXYS IXFP34N65X2W功率MOSFET
03/17/2025
650V、100mΩ、X2级HiPerFET™ 功率MOSFET，具有N沟道增强模式。
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