935154831510-T3T

Murata Electronics
81-935154831510-T3T
935154831510-T3T

制造商：

说明：
基于硅的射频电容器/薄膜电容器 Low profile, High frequency, Low ESL, Wirebonding

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产品属性 属性值 选择属性
Murata
产品种类: 基于硅的射频电容器/薄膜电容器
RoHS:  
0.01 uF
16 V
0202 (0505 metric)
15 %
UWSC
70 PPM / C
- 55 C
+ 150 C
Reel
商标: Murata Electronics
击穿电压: 30 V
外壳代码 - in: 0202
外壳代码 - mm: 0505
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: FR
高度: 0.1 mm
长度: 0.5 mm
最大工作频率: 26 GHz
产品: RF Capacitors
产品类型: Silicon RF Capacitors / Thin Film
工厂包装数量: 1000
子类别: Capacitors
端接类型: Wire
类型: Broadband
电压额定值 DC: 16 VDC
宽度: 0.5 mm
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已选择的属性: 0

数据表

CNHTS:
8532290000
CAHTS:
8532290000
USHTS:
8532290040
JPHTS:
853229000
KRHTS:
8532290000
TARIC:
8532290000
MXHTS:
8532299999
ECCN:
EAR99

UWSC超宽带引线接合式硅电容器

Murata UWSC超宽带引线接合式硅电容器面向光通信系统（ROSA/TOSA、SONET和所有光电元件）以及高速数据系统或产品。UWSC元件设计用于直流去耦和旁路应用，因为这些电容器在高于26GHz的频率下具有高抑制性能。UWSC电容器采用深沟槽和MOS半导体工艺制造而成，可满足低电容和高电容要求。

超宽带硅电容器

Murata / IPDiA超宽带硅电容器是光通信系统（ROSA/TOSA、SONET等各种光电产品）以及高速数据系统和产品的理想选择。Murata超宽带硅电容器设计用于DC阻断、反馈、耦合与旁路接地应用。这些电容器在宽频率范围内具有低插入损耗、低反射和高相位稳定性（频率范围：UBSC/UBEC为16kHz至60GHz，ULSC/ULEC为16kHz至20GHz；UWSC在26GHz频率下具有高抑制性能）。这些深沟槽硅电容器均采用半导体MOS工艺开发。

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