MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 139
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB
数据表
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 16 A 65 V 100 MHz to 500 MHz 8 dB 150 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 375-04 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,40W,<500MHz,28V,TMOS
数据表
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 150Watts 28Volt 10dB
数据表
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 26 A 65 V 100 MHz to 500 MHz 11.2 dB 150 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 375-04 Tray


MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,40W,28V,100-500MHz
数据表
17在途量
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 4 A 65 V 100 MHz to 500 MHz 10 dB 40 W + 200 C Screw Mount
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存交货期 7 周
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 50

N-Channel Si 10 mA 105 V 340 mOhms 960 MHz to 1.6 GHz 18.5 dB 200 W + 225 C SMD/SMT H-36265-2 Reel, Cut Tape, MouseReel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存交货期 12 周
最低： 50
倍数： 50
: 50

N-Channel Si 105 V 100 mOhms 1.2 GHz to 1.4 GHz 16 dB 700 W + 225 C SMD/SMT H-36275-4 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 20
倍数： 20

N-Channel Si 6 mA 65 V 2 MHz to 175 MHz 13 dB 120 W SMD/SMT
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB
数据表
无库存交货期 36 周
最低： 1
倍数： 1

N-Channel Si 9 A 65 V 200 MHz 13 dB 80 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 221-11-3 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 20
倍数： 20

N-Channel Si 13 A 65 V 500 MHz 8.8 dB 100 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 333-04 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 20
倍数： 20
N-Channel Si 65 V 100 MHz to 500 MHz 10 dB 40 W - 55 C + 150 C SMD/SMT 319-07 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

Dual N-Channel Si 65 V 150 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 15.5 dB 190 W + 200 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

Dual N-Channel Si 65 V 150 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 15.5 dB 190 W + 200 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

Dual N-Channel Si 65 V 800 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 15.5 dB 30 W + 225 C SMD/SMT H-37248H-4 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

Dual N-Channel Si 65 V 800 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 15.5 dB 30 W + 225 C SMD/SMT H-37248H-4 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Si LDMOS 无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50
Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Si LDMOS 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250
Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

N-Channel Si 65 V 300 mOhms 2.01 GHz to 2.025 GHz 16 dB 140 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

N-Channel Si 65 V 300 mOhms 2.01 GHz to 2.025 GHz 16 dB 140 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

Dual N-Channel Si 65 V 50 mOhms 2.495 GHz to 2.69 GHz 20 dB 25 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

Dual N-Channel Si 65 V 50 mOhms 2.495 GHz to 2.69 GHz 20 dB 25 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270
数据表
无库存
最低： 500
倍数： 500
: 500
Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270
数据表
无库存
最低： 500
倍数： 500
: 500

Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 40W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270
数据表
无库存
最低： 500
倍数： 500
: 500
Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 60W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270
数据表
无库存
最低： 500
倍数： 500
: 500
Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
数据表
无库存
最低： 500
倍数： 500
: 500

Dual N-Channel Si 105 V 80 mOhms 734 MHz to 821 MHz 18.2 dB 550 W + 225 C SMD/SMT HBSOF-6-2 Reel