MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 139
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 615W, Si LDMOS, 48V, 730-960 MHz, TO288
数据表
无库存
最低： 500
倍数： 500
: 500

Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
数据表
无库存
最低： 500
倍数： 500
: 500

Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 700W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO275
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250
Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
数据表
无库存
最低： 500
倍数： 500
: 500

Dual N-Channel Si 105 V 80 mOhms 859 MHz to 960 MHz 17.5 dB 480 W + 225 C SMD/SMT HBSOF-6-2 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 520W, Si LDMOS, 48V, 925-960MHz, TO275
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250
Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

N-Channel Si 600 mA 105 V 70 mOhms 920 MHz to 960 MHz 19 dB 630 W Screw Mount HB2SOF-6-1 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 850W, Si LDMOS 48V, 730-960 MHz, TO288
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存
最低： 500
倍数： 500
: 500

N-Channel Si 105 V 160 mOhms 746 MHz to 821 MHz 22.5 dB 240 W + 225 C SMD/SMT HBSOF-4-1 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存
最低： 500
倍数： 500
: 500

N-Channel Si 105 V 120 mOhms 755 MHz to 805 MHz 23.6 dB 370 W + 225 C SMD/SMT HBSOF-4-2 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存
最低： 500
倍数： 500
: 500

N-Channel Si 105 V 160 mOhms 869 MHz to 960 MHz 22 dB 240 W + 225 C SMD/SMT HBSOF-4-1 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 240W, Si LDMOS, 48V, 869-960MHz, TO288
数据表
无库存
最低： 500
倍数： 500
: 500
Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存
最低： 1,000
倍数： 1,000
: 1,000

Dual N-Channel Si 105 V 2.8 Ohms 500 MHz to 1.4 GHz 19.5 dB 25 W + 225 C SMD/SMT SON-16 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

Dual N-Channel Si 65 V 220 mOhms 1.805 GHz to 2.17 GHz 17.2 dB 90 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

Dual N-Channel Si 65 V 220 mOhms 1.805 GHz to 2.17 GHz 17.2 dB 90 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

N-Channel Si 240 mA 65 V 300 mOhms 1.8 GHz to 2.2 GHz 16.5 dB 120 W Screw Mount H-37248-4 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

N-Channel Si 240 mA 65 V 300 mOhms 1.8 GHz to 2.2 GHz 16.5 dB 120 W Screw Mount H-37248-4 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

Dual N-Channel Si 65 V 175 mOhms 1.88 GHz to 1.92 GHz, 2.01 GHz to 2.025 GHz 17.7 dB 140 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

Dual N-Channel Si 65 V 175 mOhms 1.88 GHz to 1.92 GHz, 2.01 GHz to 2.025 GHz 17.7 dB 140 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
数据表
无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

N-Channel Si 65 V 80 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 13.5 dB 400 W + 225 C Screw Mount HB2SOF-8-1 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

Dual N-Channel Si 65 V 400 mOhms 2.3 GHz to 2.4 GHz 14.3 dB 50 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

Dual N-Channel Si 65 V 400 mOhms 2.3 GHz to 2.4 GHz 14.3 dB 50 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50

Dual N-Channel Si 10 mA 65 V 50 mOhms 1.8 GHz to 2.2 GHz 21 dB 28 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

Dual N-Channel Si 65 V 50 mOhms 1.8 GHz to 2.2 GHz 21 dB 28 W + 225 C SMD/SMT H-37248-4 Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 500W, Si LDMOS, 48V, 859-960MHz TO288 无库存
最低： 500
倍数： 500
: 500

Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
数据表
无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250

Si 105 V 2.8 Ohms 390 MHz to 450 MHz 25 dB 12 W + 225 C SMD/SMT H-36265-2 Reel