MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 139
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性 技术 Id-连续漏极电流 Vds-漏源极击穿电压 Rds On-漏源导通电阻 工作频率 增益 输出功率 最小工作温度 最大工作温度 安装风格 封装 / 箱体 封装
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE 无库存
最低: 50
倍数: 50
: 50
Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE 无库存
最低: 250
倍数: 250
: 250
Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE 无库存
最低: 50
倍数: 50
: 50

Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE 无库存
最低: 250
倍数: 250
: 250

Si Reel
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB 无库存交货期 38 周

N-Channel Si 16 A 125 V 150 MHz 17 dB 150 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 221-11-3 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 150Watts 50Volt Gain 18dB 无库存交货期 36 周

N-Channel Si 16 A 125 V 175 MHz 13 dB 150 W - 65 C + 150 C SMD/SMT 221-11-3 Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB 无库存交货期 30 周

N-Channel Si 40 A 125 V 175 MHz 14 dB 300 W - 65 C + 150 C SMD/SMT Tray
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 730-960MHz, PTRA084858NB-V1 LDMOS FET included 无库存
最低: 1
倍数: 1
Si Bulk
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 925-960MHz, PTRA095908NB-V1 LDMOS FET included 无库存
最低: 1
倍数: 1
Si Bulk
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 730-960MHz, PTRA097058NB-V1 LDMOS FET included 无库存
最低: 1
倍数: 1
Si Bulk
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier Doherty, 2615-2675 MHz, PXAE261908NF LDMOS FET included 无库存
最低: 1
倍数: 1
Si 10 mA 65 V 80 mOhms 2.515 GHz to 2.675 GHz 13.5 dB 240 W + 225 C Screw Mount Bulk
MACOM DU1215S
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,15W,12V,2-175MHz 无库存交货期 22 周
最低: 40
倍数: 20

Si
MACOM DU2805S
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,5W,28V,2-175 MHz 无库存交货期 28 周
最低: 40
倍数: 20

Si
MACOM DU28200M
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,200W,28V,2-175MHz 无库存交货期 26 周
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 20 A 65 V 175 MHz 13 dB 200 W + 200 C Screw Mount
MACOM DU2840S
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,40W,28V,2-175MHz 无库存交货期 26 周
最低: 40
倍数: 20

Si
MACOM DU2880T
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,80W,28V,2-175MHz 无库存交货期 26 周
最低: 20
倍数: 20

Si
MACOM DU2880U
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,RF,80W,28V,2-175_MHz 无库存交货期 26 周
最低: 20
倍数: 20
Si
MACOM LF2805A
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,5W,28V,500-1000_MHz 无库存交货期 26 周
最低: 20
倍数: 20

Si
MACOM MRF136Y
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,<400MHz,28V,30W,Mos 无库存交货期 36 周
最低: 1
倍数: 1

Si
MACOM MRF154
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,<80MHz,50V,600W 无库存交货期 36 周
最低: 1
倍数: 1

N-Channel Si 60 A 125 V 80 MHz 17 dB 600 W - 65 C + 150 C 368-3
MACOM MRF157MP
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,600W,80MHz,50v,Matched Pair 无库存交货期 28 周
最低: 5
倍数: 1
Si
MACOM MRF175GV
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,200W,<225MHz,28V 无库存交货期 28 周
最低: 1
倍数: 1
: 10

Si Reel, Cut Tape
MACOM MRF176GU
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,200W,<225MHz,50V 无库存交货期 28 周
最低: 10
倍数: 10

Si
MACOM MRF176GV
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,150W,<500MHz,50V 无库存交货期 28 周
最低: 10
倍数: 10

Si
MACOM UF2805B
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,5W,28V,100-500MHz 无库存交货期 26 周
最低: 20
倍数: 20

Si