MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 139
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
Rds On-漏源导通电阻
工作频率
增益
输出功率
最小工作温度
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
MACOM UF28100M
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,100W,28V,100-500MHz
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 10
倍数： 10

Si
MACOM UF2815B
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,15W,28V,100-500MHz
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 20
倍数： 20

Si
MACOM UF2820P
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Transistor,Mosfet,20W,28V,100-500MHz
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 20
倍数： 20

Si
MACOM PTFA220041M-V4-R1K
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200W, Si LDMOS, 28V, 700-22000MHz, Plastic SMT DFN 无库存
最低： 1,000
倍数： 1,000
: 1,000
Si Reel
MACOM PTFB241402FC-V1-R250
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP 无库存
最低： 250
倍数： 250
: 250
Si Reel
MACOM PTFB241402FC-V1-R0
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP 无库存
最低： 50
倍数： 50
: 50
Si Reel
MACOM MRF175LU
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400MHz 28Volt 100W Gain 10dB
数据表
无库存交货期 28 周

N-Channel Si 13 A 65 V 400 MHz 10 dB 100 W - 65 C + 150 C 333-4 Bulk
MACOM PTNC210604MD-V2-R5
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 60W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270
数据表
Si Reel
MACOM PTVA082407NF-V2-R5
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 240W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO288
数据表
Si Reel
MACOM PXAE261908NF-V1-R5
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 240W, SiLDMOS, 28V, 2615-2515-2675 MHz
数据表
Si Reel
MACOM LTA/PTNC210604MD-V2
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 10W Avg. 2110-2200 MHz LDMOS Doherty EVB
数据表

Si Bulk
MACOM LTA/PTRA082808NF-V1
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LTA/PTRA082808NF-V1
数据表

Si Bulk
MACOM LTA/PTRA093818NF-V1
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 LTA/PTRA093818NF-V1
数据表

Si Bulk
MACOM LTN/PTNC210604MD-V2
MACOM 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Amplifier, 2110-2200 MHz, PTNC210604MD-V2 LDMOS 2-Stage RFIC included
数据表
Si