|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
- SD2941-10W
- STMicroelectronics
-
1:
¥713.6741
-
33库存量
|
Mouser 零件编号
511-SD2941-10W
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 175W 15dB 175MHz
|
|
33库存量
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
20 A
|
130 V
|
|
175 MHz
|
15 dB
|
175 W
|
|
+ 200 C
|
Screw Mount
|
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz
- SD2942W
- STMicroelectronics
-
1:
¥1,593.2774
-
75库存量
|
Mouser 零件编号
511-SD2942W
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 15dB 175MHz
|
|
75库存量
|
|
|
¥1,593.2774
|
|
|
¥1,305.4212
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
40 A
|
130 V
|
|
175 MHz
|
15 dB
|
350 W
|
|
+ 200 C
|
Screw Mount
|
|
Tube
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz
- SD2943W
- STMicroelectronics
-
1:
¥1,305.1726
-
71库存量
|
Mouser 零件编号
511-SD2943W
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz
|
|
71库存量
|
|
|
¥1,305.1726
|
|
|
¥1,056.9455
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS
- SD4933MR
- STMicroelectronics
-
1:
¥1,343.3101
-
66库存量
|
Mouser 零件编号
511-SD4933MR
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W - 50V Moisture Resistnt HF/VHF DMOS
|
|
66库存量
|
|
|
¥1,343.3101
|
|
|
¥1,088.868
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
40 A
|
200 V
|
|
100 MHz
|
24 dB
|
300 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
M177MR-5
|
Tray
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
- SD57045
- STMicroelectronics
-
1:
¥835.3525
-
51库存量
-
40在途量
|
Mouser 零件编号
511-SD57045
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch 65 Volt 5 Amp
|
|
51库存量
40在途量
|
|
|
¥835.3525
|
|
|
¥665.8638
|
|
|
¥644.6876
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
5 A
|
65 V
|
|
1 GHz
|
13 dB
|
45 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
M243
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
- STAC2942BW
- STMicroelectronics
-
1:
¥1,199.1334
-
16库存量
|
Mouser 零件编号
511-STAC2942BW
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 300W 50V RF MOS 21dB 175MHz N-Ch
|
|
16库存量
|
|
|
¥1,199.1334
|
|
|
¥1,013.271
|
|
|
¥942.7929
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
40 A
|
130 V
|
|
250 MHz
|
21 dB
|
350 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
STAC244B
|
Bulk
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
- SD2932BW
- STMicroelectronics
-
1:
¥1,768.3031
-
36库存量
|
Mouser 零件编号
511-SD2932BW
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HF/VHF/UHF RF N-Ch 300W 15dB 175MHz
|
|
36库存量
|
|
|
¥1,768.3031
|
|
|
¥1,507.081
|
|
|
报价
|
|
|
报价
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
40 A
|
125 V
|
|
250 MHz
|
15 dB
|
300 W
|
|
+ 200 C
|
Screw Mount
|
|
Tube
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST
- PD54008TR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥77.5067
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD54008TR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 600
倍数： 600
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
5 A
|
25 V
|
|
1 GHz
|
11.5 dB
|
8 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD55015STR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥83.3827
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD55015STR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 600
倍数： 600
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
5 A
|
40 V
|
|
1 GHz
|
14 dB
|
15 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans N-Channel
- PD55025TR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥184.2126
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD55025TR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power Trans N-Channel
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 600
倍数： 600
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
7 A
|
12.5 V
|
|
500 MHz
|
14.5 dB
|
25 W
|
|
+ 165 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-2
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD57018STR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥183.2182
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57018STR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 600
倍数： 600
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
2.5 A
|
65 V
|
760 mOhms
|
1 GHz
|
16.5 dB
|
18 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD57018TR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥188.5066
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57018TR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 600
倍数： 600
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
2.5 A
|
65 V
|
760 mOhms
|
1 GHz
|
16.5 dB
|
18 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
- PD57030S-E
- STMicroelectronics
-
400:
¥314.5694
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57030S-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
|
¥314.5694
|
|
|
查看
|
|
|
报价
|
|
最低： 400
倍数： 400
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
4 A
|
65 V
|
|
1 GHz
|
14 dB
|
30 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
Tube
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
- PD57045-E
- STMicroelectronics
-
400:
¥357.4981
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57045-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 400
倍数： 400
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
5 A
|
65 V
|
|
1 GHz
|
13 dB
|
45 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
Tube
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
- PD57060S-E
- STMicroelectronics
-
400:
¥386.121
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57060S-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 400
倍数： 400
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
7 A
|
65 V
|
|
1 GHz
|
14.3 dB
|
60 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
Tube
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
- PD57060TR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥386.121
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD57060TR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 600
倍数： 600
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
7 A
|
65 V
|
|
1 GHz
|
14.3 dB
|
60 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Formed-4
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
- PD85035S-E
- STMicroelectronics
-
400:
¥163.7822
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD85035S-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 400
倍数： 400
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
8 A
|
40 V
|
|
1 GHz
|
14.9 dB
|
35 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
Tube
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
- PD85035STR-E
- STMicroelectronics
-
600:
¥191.3994
-
无库存交货期 23 周
|
Mouser 零件编号
511-PD85035STR-E
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F. N-Ch Trans
|
|
无库存交货期 23 周
|
|
最低： 600
倍数： 600
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
8 A
|
40 V
|
|
1 GHz
|
14.9 dB
|
35 W
|
- 65 C
|
+ 150 C
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L15200CB4
- STMicroelectronics
-
100:
¥1,298.4717
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
511-RF2L15200CB4
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 200 W, 28 V, HF to 1.5 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 100
倍数： 100
|
|
|
Dual N-Channel
|
Si
|
|
65 V
|
1 Ohms
|
860 MHz
|
17.5 dB
|
200 W
|
|
+ 200 C
|
SMD/SMT
|
LBB-5
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L16180CF2
- STMicroelectronics
-
120:
¥1,000.8636
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
511-RF2L16180CF2
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 180 W, 28 V, 1.3 to 1.7 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 120
倍数： 120
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
65 V
|
1 Ohms
|
1.47 GHz
|
17.5 dB
|
180 W
|
|
+ 200 C
|
SMD/SMT
|
B2-3
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L27015CG2
- STMicroelectronics
-
300:
¥303.2355
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
511-RF2L27015CG2
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 15 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 300
倍数： 300
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
60 V
|
1 Ohms
|
2.7 GHz
|
19 dB
|
15 W
|
|
+ 200 C
|
SMD/SMT
|
E2-3
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L27025CG2
- STMicroelectronics
-
300:
¥286.0369
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
511-RF2L27025CG2
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 25 W, 28 V, 0.7 to 2.7 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 300
倍数： 300
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
65 V
|
1 Ohms
|
2.7 GHz
|
18 dB
|
25 W
|
|
+ 200 C
|
SMD/SMT
|
E2-3
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
- RF2L36040CF2
- STMicroelectronics
-
160:
¥500.4318
-
无库存交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
511-RF2L36040CF2
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
无库存交货期 52 周
|
|
最低： 160
倍数： 160
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
|
60 V
|
1 Ohms
|
3.6 GHz
|
14 dB
|
40 W
|
|
+ 200 C
|
SMD/SMT
|
A2-3
|
Reel
|
|
|
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
- RF3L05150CB4
- STMicroelectronics
-
1:
¥1,593.4356
-
交货期 52 周
|
Mouser 零件编号
511-RF3L05150CB4
|
STMicroelectronics
|
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
|
|
交货期 52 周
|
|
|
¥1,593.4356
|
|
|
¥1,305.4212
|
|
|
¥1,305.4212
|
|
最低： 1
倍数： 1
|
|
|
N-Channel
|
Si
|
2.5 A
|
28 V
|
1 Ohms
|
945 MHz
|
16 dB
|
150 W
|
|
+ 200 C
|
Through Hole
|
LBB-4
|
Reel, Cut Tape
|
|
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
- SD2931-12W
- STMicroelectronics
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50:
¥563.9604
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无库存交货期 28 周
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Mouser 零件编号
511-SD2931-12W
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STMicroelectronics
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
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无库存交货期 28 周
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¥563.9604
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¥560.7286
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最低： 50
倍数： 50
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Si
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Bulk
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