Toshiba 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

结果: 4
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数量 RoHS ECAD模型 晶体管极性
技术
Id-连续漏极电流
Vds-漏源极击穿电压
工作频率
增益
输出功率
最大工作温度
安装风格
封装 / 箱体
封装
Toshiba 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
数据表
426库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

N-Channel Si 3 A 12 V 470 MHz 11.5 dB 36.5 dBm + 150 C SMD/SMT PW-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 10V VDSS
数据表
无库存
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

N-Channel Si 3 A 10 V 470 MHz 13.5 dB 2.2 W SMD/SMT PW-X-4 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
数据表
无库存
最低： 3,000
倍数： 3,000
: 3,000

N-Channel Si 100 mA 20 V 520 MHz 13 dB 200 mW SMD/SMT SOT-343-4 Reel
Toshiba 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
数据表
无库存
最低： 1,000
倍数： 1,000
: 1,000

N-Channel Si 4 A 20 V 520 MHz 10.8 dB 12 W SMD/SMT PW-X-4 Reel