EPC 半导体

结果: 137
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描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS
EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
数据表
9,018库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
数据表
12,364库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
数据表
18,485库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
数据表
11,846库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
数据表
4,237库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
数据表
4,500库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5
数据表
12,290库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8
数据表
8,185库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
数据表
11,203库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
数据表
2,480库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 80 V, 3.6 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
数据表
2,948库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 1.5 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 2.85
数据表
1,998库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
数据表
4,079库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
数据表
980库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
数据表
2,500库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

EPC 激光驱动器 IC LASER DRVR 40V 10A 3.3VLOGIC
数据表
2,251库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
数据表
12,434库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
数据表
7,500库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,15 V, 26 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
数据表
4,960库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,40 V, 110 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
数据表
2,294库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,65 V, 130 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
数据表
2,480库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
数据表
3,988库存量
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
数据表
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 3,000

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
数据表
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1
卷轴: 1,000

EPC GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET, 80 V, 20 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
数据表
更多信息可用
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最低： 1
倍数： 1
卷轴: 2,500