PJQ44607AP-AU_R2_002A1

Name: Panjit PJQ44607AP-AU_R2_002A1
Brand: Panjit
SKU: 241-PJQ44607AUR202A1
Price: 7.17 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

241-PJQ44607AUR202A1

制造商编号：

PJQ44607AP-AU_R2_002A1

制造商：

Panjit

说明：

MOSFET 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

寿命周期:

新产品:

此制造商的新产品。

数据表:

PJQ44607AP-AU_R2_002A1 数据表 (PDF)

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¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按5000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥8.1021	¥8.10
	¥5.0737	¥50.74
	¥3.3222	¥332.22
	¥2.5538	¥1,276.90
	¥2.1018	¥2,101.80
整卷卷轴（请按5000的倍数订购）
	¥1.8645	¥9,322.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Panjit
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN3333-8
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	25 A
Rds On-漏源导通电阻:	41 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	35 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	54 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Panjit
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	TW
下降时间:	29 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	3.6 ns
工厂包装数量:	5000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	58 ns
典型接通延迟时间:	5.2 ns
单位重量:	30 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

PJQ44607AP-AU_R2_002A1 数据表 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

60V Automotive P-Channel MOSFETs

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs are designed with advanced trench process technology to minimize R_DS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage. With AEC-Q101 qualification and a high junction temperature of +175°C, these MOSFETs are the optimal choice for automotive design engineers who wish to simplify circuitry while optimizing performance. PANJIT’s P-channel MOSFETs can reduce the circuit complexity of power designs. These components are available in a wide range of compact packages, including SOT-23, SOT-23 6L-1, DFN2020B-6L, DFN3333-8L, DFN5060-8L, and TO-252AA.

60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

PANJIT 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFETs are designed with advanced trench technology to minimize R_DS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage while maintaining superior switching performance. The devices feature a 200mA to 16A continuous drain current, a 1.1nC to 22nC gate charge, and 300mW to 50W power dissipation. The MOSFETs include advanced Trench Process technology and are optimized for use as relay drivers and line drivers. With AEC-Q101 qualification options and a high junction temperature of 175°C, the MOSFETs are ideal for automotive design engineers to simplify circuitry while optimizing performances.