EPC GaN 场效应晶体管

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	数量	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	通道模式	商标名
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 EPC2102 EPC 受限供货情况	制造商零件编号 EPC2102 Mouser 零件编号 65-EPC2102	EPC	GaN 场效应晶体管 EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3	数据表	受限供货情况	SMD/SMT	BGA-75	N-Channel	2 Channel	60 V	30 A	4.9 mOhms	6 V, - 4 V	2.5 V	8 nC, 11 nC	- 40 C	+ 150 C	Enhancement	eGaN FET
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN Symetrical Half Bridge,100 V, 6.8 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 EPC2104 EPC 受限供货情况	制造商零件编号 EPC2104 Mouser 零件编号 65-EPC2104	EPC	GaN 场效应晶体管 EPC eGaN Symetrical Half Bridge,100 V, 6.8 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3	数据表	受限供货情况	SMD/SMT	Die		2 Channel	100 V	30 A	6.8 mOhms	6 V, - 4 V	2.5 V	6.8 nC, 6.8 nC	- 40 C	+ 150 C	Enhancement	eGaN FET
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 EPC2110 EPC 受限供货情况	制造商零件编号 EPC2110 Mouser 零件编号 65-EPC2110	EPC	GaN 场效应晶体管 EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35	数据表	受限供货情况	SMD/SMT	BGA	N - Channel	2 Channel	120 V	3.4 A	110 mOhms	6 V, - 4 V	2.5 V	0.8 nC	- 40 C	+ 150 C	Enhancement	eGaN FET
GaN 场效应晶体管 EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 EPC2221 EPC 受限供货情况	制造商零件编号 EPC2221 Mouser 零件编号 65-EPC2221	EPC	GaN 场效应晶体管 EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35	数据表	受限供货情况	SMD/SMT	BGA	N - Channel	1 Channel	100 V	5 A	58 mOhms	6 V, - 4 V	2.5 V	0.85 nC	- 55 C	+ 150 C	Enhancement	eGaN FET
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6 EPC2234 EPC 受限供货情况新产品	制造商零件编号 EPC2234 Mouser 零件编号 65-EPC2234 新产品	EPC	GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6	数据表	受限供货情况	SMD/SMT	BGA	N - Channel	1 Channel	160 V	48 A	8 mOhms	- 4 V	2.5 V	11.1 nC	- 55 C	+ 150 C	Enhancement	eGaN FET
GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 EPC8002 EPC 受限供货情况	制造商零件编号 EPC8002 Mouser 零件编号 65-EPC8002	EPC	GaN 场效应晶体管 EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85	数据表	受限供货情况	SMD/SMT	LGA-6	N-Channel	1 Channel	65 V	2 A	480 mOhms	6 V, - 4 V	2.5 V	133 pC	- 40 C	+ 150 C	Enhancement	eGaN FET