iDEAL Semiconductor MOSFET

结果: 11
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
iDEAL Semiconductor MOSFET SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package
数据表
1,912库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SuperQ Tube
iDEAL Semiconductor MOSFET
数据表
142库存量
最低： 1
倍数： 1
: 100

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 200 V 45 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor MOSFET 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4 mOhm PDFN 5x6mm
数据表
4,169库存量
5,000在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 133 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 48 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement iDEAL Semiconductor Reel, Cut Tape, MouseReel
iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P
iDEAL Semiconductor MOSFET N-CH 200V 172A TO-220
数据表
1,000库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 172 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 105 nC - 55 C + 175 C 428 W Enhancement Tube
iDEAL Semiconductor MOSFET 150 Volt N-Channel Power MOSFET 6.4mOhm PDFN 5x6mm
数据表
341库存量
300在途量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 150 V 133 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 48 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement iDEAL Semiconductor Cut Tape
iDEAL Semiconductor MOSFET SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package
数据表
200库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 200 V 151 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 112 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Bulk
iDEAL Semiconductor MOSFET SuperQ MOSFET 200 V, 5.5m max, normal threshold level in TOLL package
数据表

Si SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 200 V 151 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 112 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape
iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P
iDEAL Semiconductor MOSFET N-CH 200V 128A TO-220
数据表

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 128 A 8.3 mOhms 20 V 4.1 V 73 nC - 55 C + 175 C 333 W Enhancement Tube
iDEAL Semiconductor iS15M2R5S1T-100B
iDEAL Semiconductor MOSFET N-CH 150V 233A TOLL
数据表
更多信息可用

Si SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 233 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 123 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Bulk
iDEAL Semiconductor iS15M2R5S1T-13
iDEAL Semiconductor MOSFET N-CH 150V 233A TOLL
数据表

Si SMD/SMT TOLL N-Channel 1 Channel 150 V 233 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 123 nC - 55 C + 175 C 314 W Enhancement SuperQ Reel
iDEAL Semiconductor MOSFET
数据表

Si SMD/SMT PDFN-8 N-Channel 1 Channel 200 V 45 A 25 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement SuperQ Reel, Cut Tape