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Qorvo QPD GaN射频晶体管可用于Doherty架构，适用于宏蜂窝高效率系统的基站功率放大器的最后一级。这些GaN晶体管是分立式碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，设有单级匹配功率放大器晶体管。典型应用包括W-CDMA/LTE、宏蜂窝基站、有源天线和通用应用。
Qorvo面向Sub 6GHz 5G的GaN晶体管解决方案是一系列氮化镓 (GaN) 分立晶体管产品。这些器件有芯片级和完整的解决方案可供选择，具有不同的功率、电压和频率等级。这些产品具有高GaN性能，采用方便的行业标准封装。这样可加快设计和制造速度，并受益于行业领先的可靠性。
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