QPD0060

Name: Qorvo QPD0060
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD0060
Price: 1003.79 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

772-QPD0060

制造商编号：

QPD0060

制造商：

Qorvo

说明：

GaN 场效应晶体管 DC-3.6GHz GaN 90W 48V

数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Qorvo
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DFN-6
Vds-漏源极击穿电压:	48 V
最小工作温度:	- 40 C
商标:	Qorvo
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	US
开发套件:	QPD0060PCB4B01
增益:	16.2 dB
最大工作频率:	3.8 GHz
最小工作频率:	1.8 GHz
湿度敏感性:	Yes
输出功率:	90 W
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品类型:	GaN FETs
系列:	QPD0060
工厂包装数量:	100
子类别:	Transistors
技术:	GaN
零件号别名:	1131037 QPD0060SR

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USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

QPD GaN射频晶体管

Qorvo QPD GaN射频晶体管可用于Doherty架构，适用于宏蜂窝高效率系统的基站功率放大器的最后一级。这些GaN晶体管是分立式碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，设有单级匹配功率放大器晶体管。典型应用包括W-CDMA/LTE、宏蜂窝基站、有源天线和通用应用。