QPD1009 GaN 场效应晶体管

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-4GHz 15W 28-50V SSG 24dB PAE 72% GaN
数据表
244库存量
最低： 1
倍数： 1

SMD/SMT QFN-16 N-Channel 50 V 700 mA - 2.8 V - 40 C + 85 C 17.5 W
Qorvo GaN 场效应晶体管 DC-4 GHz, 15W, 50V GaN RF Tr
数据表
SMD/SMT SMD-16 1 Channel 145 V 1.6 A - 40 C + 85 C 16 W