QPD1025L

Name: Qorvo QPD1025L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD1025L
Price: 12873.59 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

772-QPD1025L

制造商编号：

QPD1025L

制造商：

Qorvo

说明：

GaN 场效应晶体管 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V

数据表:

QPD1025L 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Qorvo
产品种类:	GaN 场效应晶体管
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	NI-1230-4
Id-连续漏极电流:	28 A
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 85 C
Pd-功率耗散:	758 W
商标:	Qorvo
配置:	Dual Gate Dual Drain
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	US
开发套件:	QPD1025LEVB1
增益:	22.9 dB
最大漏极/栅极电压:	225 V
湿度敏感性:	Yes
输出功率:	1.5 kW
封装:	Tray
产品类型:	GaN FETs
系列:	QPD1025L
工厂包装数量:	18
子类别:	Transistors
技术:	GaN SiC
晶体管类型:	HEMT
单位重量:	39.665 g

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ECCN:: EAR99

QPD1025L射频输入匹配晶体管

Qorvo QPD1025L射频输入匹配晶体管是一款分立式碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，工作频率范围为1.0GHz至1.1GHz。这些晶体管具有22.5dB线性增益、1800W输出功率、65V工作电压以及脉冲和连续波功能。QPD1025L晶体管采用工业标准气腔型封装，非常适合用于IFF应答器、航空电子设备和测试仪器仪表。