Infineon IGBT 模块

结果: 829
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数量 RoHS ECAD模型 产品
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流
栅极—射极漏泄电流
Pd-功率耗散
封装 / 箱体
最小工作温度
最大工作温度
封装
Infineon Technologies IGBT 模块 1700 V, 600 A dual IGBT module
数据表
24库存量
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 MEDIUM POWER ECONO
数据表
16库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 MEDIUM POWER ECONO
数据表
19库存量
10在途量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 600 A 100 nA Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 MEDIUM POWER ECONO
数据表
14库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 EconoDUAL3 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 8 diode and NTC
数据表
30库存量
30在途量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.85 V 900 A 100 nA 20 mW Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 HYBRID PACK DRIVE G2 SI
数据表
14库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Hex 1.2 kV 1.48 V 520 A 400 nA 1 kW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 IHV IHM T
数据表
4库存量
最低： 1
倍数： 1
IGBT Modules Dual 6.5 kV 3.25 V 675 A 400 nA 2.4 MW Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1700 V, 1200 A dual IGBT module
数据表
24库存量
最低： 1
倍数： 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.2 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 EasyPACK module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and PressFIT / NTC
数据表
4库存量
最低： 1
倍数： 1

Modules Quad 2 V 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 EASY STANDARD
数据表
6库存量
最低： 1
倍数： 1

Easy Dual Modules Dual 1.2 kV 1.55 V 135 A 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 EASY STANDARD
数据表
20库存量
15在途量
最低： 1
倍数： 1

Easy Dual Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 165 A 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 EASY STANDARD
数据表
14库存量
最低： 1
倍数： 1

Easy Dual Modules Dual 1.2 kV 1.55 V 215 A 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 EASY
数据表
23库存量
最低： 1
倍数： 1

Easy Dual Modules Dual 1.2 kV 1.55 V 65 A 100 nA 20 mW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 EASY
数据表
36库存量
最低： 1
倍数： 1

Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 EASY PLUS
数据表
29库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules Half Bridge 1.2 kV 2.55 V 175 A 100 nA 20 mW EasyPACK - 40 C + 125 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 EASY PLUS
数据表
14库存量
最低： 1
倍数： 1

EasyPACK Module 1.2 kV 2.23 V 325 A 100 nA 20 mW 56.7 mm x 48 mm x 12 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 EASY
数据表
36库存量
最低： 1
倍数： 1

Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 62 mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled diode
数据表
13库存量
最低： 1
倍数： 1

Chopper IGBT module Module 1.7 kV 1.95 V 300 A 600 A AG-62MM - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 62 mm C-Series module with Trench/Fieldstop IGBT4 and emitter controlled HE diode
数据表
30库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules Single 1.2 kV 2.15 V 450 A 400 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 450 A common emitter IGBT module
数据表
32库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 MEDIUM POWER 62MM
数据表
10库存量
20在途量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 800 A common emitter IGBT module
数据表
11库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 800 A dual IGBT module
数据表
32库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1200 V, 800 A dual IGBT module
数据表
28库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT 模块 1700 V, 75 A PIM IGBT module
数据表
20库存量
最低： 1
倍数： 1

Tray