POWER MOS 8, ISOTOP IGBT 模块

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 产品
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流
栅极—射极漏泄电流
Pd-功率耗散
封装 / 箱体
最小工作温度
最大工作温度
封装
Microchip Technology IGBT 模块 IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 60 A SOT-227
数据表
60库存量
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules Single 600 V 2 V 112 A 100 nA 356 W SOT-227-4 - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT 模块 IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 46 A SOT-227
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

IGBT Modules 900 V 2.5 V 87 A 100 nA 284 W SOT-227-4 - 55 C + 150 C Tube