FS17MR12W2M1HB11ABPSA2

Name: Infineon FS17MR12W2M1HB11ABPSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS17MR12W2M1HB11
Price: 1042.95 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

726-FS17MR12W2M1HB11

制造商编号：

FS17MR12W2M1HB11ABPSA2

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET模块 EasyPACK 2B module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC

寿命周期:

新产品:

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数据表:

FS17MR12W2M1HB11ABPSA2 数据表 (PDF)

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	¥984.8967	¥9,848.97
	¥904.2486	¥94,946.10
510	报价

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET模块
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Press Fit
晶体管极性:	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	40 A
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, 23 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5.15 V
Pd-功率耗散:	20 mW
系列:	EasyPACK 2B
封装:	Tray
商标:	Infineon Technologies
配置:	Hex
组装国:	DE
扩散国家:	Not Available
原产国:	AT
下降时间:	12 ns
高度:	1.4 mm
If - 正向电流:	16 A
长度:	56.7 mm
产品:	MOSFET Modules
产品类型:	MOSFET Modules
上升时间:	29 ns
工厂包装数量:	15
子类别:	Discrete and Power Modules
商标名:	CoolSiC
典型关闭延迟时间:	39 ns
典型接通延迟时间:	32 ns
Vf - 正向电压:	4.2 V
宽度:	48 mm
零件号别名:	FS17MR12W2M1H_B11_A SP005958141

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数据表

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CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

1200V CoolSiC™模块

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™模块是碳化硅 (SiC) MOSFET模块，具有较高的效率和系统灵活性。这些模块采用近阈值电路 (NTC) 和PressFIT触点技术。该款CoolSiC模块具有高电流密度、出色的开关和导通损耗以及低电感设计。这些模块具有高频工作能力、较高的功率密度以及经过优化的开发周期时间和成本。