IXFN82N60 系列 MOSFET模块

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
系列
封装
IXYS MOSFET模块 DIODE Id82 BVdass600
数据表
165库存量
300在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 600 V 72 A 75 mOhms - 30 V, + 30 V 5 V - 55 C + 150 C 1.04 kW IXFN82N60 Tube
IXYS MOSFET模块 Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/66A
数据表
244库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 75 mOhms - 30 V, + 30 V 960 W IXFN82N60 Tube