M1H 系列 MOSFET模块

结果: 6
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
系列
封装
Infineon Technologies MOSFET模块 3-Level 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
数据表
25库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT - 40 C + 150 C M1H Tray
Infineon Technologies MOSFET Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
数据表

Si Screw Mount 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm N-Channel 1.2 kV 200 A 5.63 mOhms - 10 V, + 20 V 5.55 V - 40 C + 175 C 20 mW M1H Tray
Infineon Technologies MOSFET Modules CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
数据表

Si 1.2 kV 170 A - 10 V, + 23 V 5.15 V M1H Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
数据表
16库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT - 40 C + 175 C 20 mW M1H Tray
Infineon Technologies MOSFET Modules EASY
数据表

Si Screw Mount 1.2 kV 170 A - 10 V, + 23 V 5.15 V M1H Tray

Infineon Technologies MOSFET模块 Sixpack 1200 V CoolSiC MOSFET Easy Module
数据表
84库存量
最低： 1
倍数： 1
Si - 40 C + 175 C M1H Tray