HybridPACK MOSFET模块

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
系列
封装
Infineon Technologies MOSFET模块 HYBRID PACK DRIVE G2 SIC
数据表
2库存量
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit Module N-Channel 6 Channel 1.2 kV 500 A 1.87 mOhms - 5 V, +19 V 3.98 V - 40 C + 175 C Drive G2 Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 HYBRID PACK DRIVE G2 SIC
数据表
4库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit N-Channel 1.4 kV 310 A - 10 V, + 23 V 4.55 V - 40 C + 175 C Drive G2 Tray