POWER MOS 8, ISOTOP MOSFET模块

结果: 7
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
封装
Microchip Technology MOSFET模块 FREDFET MOS8 1000 V 41 A SOT-227
数据表
173库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1 kV 42 A 180 mOhms - 30 V, + 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 960 W Tube
Microchip Technology MOSFET模块 FREDFET MOS8 800 V 53 A SOT-227
数据表
103库存量
91在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 800 V 57 A 70 mOhms - 30 V, + 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 960 W Tube
Microchip Technology MOSFET模块 MOSFET MOS8 500 V 100 A SOT-227
数据表
无库存
最低： 20
倍数： 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 500 V 103 A 28 mOhms - 30 V, + 30 V 3 V - 55 C + 150 C 960 W Tube
Microchip Technology MOSFET模块 FREDFET MOS8 1200 V 32 A SOT-227
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 270 mOhms - 30 V, + 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 960 W Tube
Microchip Technology MOSFET模块 MOSFET MOS8 1200 V 34 A SOT-227
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 35 A 240 mOhms - 30 V, + 30 V 3 V - 55 C + 150 C 960 W Tube
Microchip Technology MOSFET模块 MOSFET MOS8 500 V 51 A SOT-227
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 500 V 51 A 64 mOhms - 30 V, + 30 V 3 V - 55 C + 150 C 480 W Tube
Microchip Technology MOSFET模块 PM-MOSFET-8-SOT227
数据表
无库存交货期 20 周
最低： 34
倍数： 1

Si Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 500 V 58 A 65 mOhms - 30 V, + 30 V 3 V - 40 C + 150 C 543 W Tube