TrenchP MOSFET模块

结果: 5
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
系列
封装
IXYS MOSFET模块 TrenchP Channel Power MOSFETs
数据表
658库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount SOT-227-4 - 15 V, + 15 V - 55 C + 150 C IXTN210P10 Tube
IXYS MOSFET模块 DISCRETE
数据表
无库存交货期 28 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel - 100 V - 18 A 120 mOhms - 15 V, + 15 V - 4.5 V - 55 C + 150 C 83 W Reel
IXYS MOSFET模块 IXTY26P10T TRL
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel - 100 V - 26 A 90 mOhms - 15 V, + 15 V - 4.5 V - 55 C + 150 C 150 W Reel
IXYS MOSFET模块 IXTY32P05T TRL
数据表
无库存交货期 43 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel - 50 V - 32 A 39 mOhms - 15 V, + 15 V - 4.5 V - 55 C + 150 C 83 W Reel
IXYS MOSFET模块 IXTY48P05T TRL
数据表
无库存交货期 43 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 P-Channel - 50 V - 48 A 30 mOhms - 15 V, + 15 V - 4.5 V - 55 C + 150 C 150 W Reel