STMicroelectronics STP11NM60FD 系列 MOSFET

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
数据表
537库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 65 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
数据表
809库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 40 nC - 65 C + 150 C 160 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
数据表
无库存交货期 52 周
最低： 1,000
倍数： 1,000
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 450 mOhms - 30 V, 30 V - 65 C + 150 C 160 W Enhancement Reel