4402 晶体管

结果: 20
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS 产品类型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性
Vishay / Siliconix MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET SO-8, 9.3 mohm a. 10V, 10.3 mohm a. 4.5V 12,383库存量
最低: 1
倍数: 1

MOSFETs Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8S N-Channel
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET 2,834库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8S N-Channel
Vishay Semiconductors SISD4402DN-T1-UE3
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
最低: 1
倍数: 1
MOSFETs
Panjit MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 无库存交货期 36 周
最低: 5,000
倍数: 5,000
: 5,000

MOSFETs Si
MACOM GTRB204402FC/1-V1-R2
MACOM GaN 场效应晶体管 400W, 48V, 1930-2020 MHz GaN-SiC HEMT 无库存
最低: 250
倍数: 250
: 250

GaN FETs GaN-on-SiC
Nexperia MOSFET PSMN8R5-60YS/SOT669/LFPAK 2,427库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,500

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel
MACOM GTRB224402FC-V1-R0
MACOM GaN 场效应晶体管 400W, 48V, 2110-2200 MHz GaN-SiC HEMT 无库存
最低: 50
倍数: 50
: 50

GaN FETs GaN-on-SiC
MACOM GTRB204402FC/1-V1-R0
MACOM GaN 场效应晶体管 400W, 48V, 1930-2020 MHz GaN-SiC HEMT 无库存
最低: 50
倍数: 50
: 50

GaN FETs GaN-on-SiC
Infineon Technologies 射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR 63,647库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

RF Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-323 NPN
Panjit MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 无库存交货期 52 周
最低: 5,000
倍数: 5,000
: 5,000

MOSFETs Si
MACOM GTRB224402FC-V1-R2
MACOM GaN 场效应晶体管 400W, 48V, 2110-2200 MHz GaN-SiC HEMT 无库存
最低: 250
倍数: 250
: 250

GaN FETs GaN-on-SiC
Central Semiconductor 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW 无库存交货期 42 周
最低: 2,500
倍数: 2,500

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-92-3 PNP
Central Semiconductor 2N4402 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch 无库存交货期 42 周
最低: 2,000
倍数: 2,000
: 2,000

BJTs - Bipolar Transistors PNP
Central Semiconductor 2N4402 APM PBFREE
Central Semiconductor 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch 无库存交货期 14 周
最低: 2,000
倍数: 2,000
: 2,000

BJTs - Bipolar Transistors PNP
Central Semiconductor 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW 无库存交货期 14 周
最低: 2,500
倍数: 2,500

BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-92-3 PNP
Central Semiconductor 2N4402 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch 无库存交货期 42 周
最低: 2,000
倍数: 2,000
: 2,000

BJTs - Bipolar Transistors PNP
Central Semiconductor 2N4402 TRE PBFREE
Central Semiconductor 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch 无库存交货期 14 周
最低: 2,000
倍数: 2,000
: 2,000

BJTs - Bipolar Transistors PNP
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_)40V 60V)
5,000在途量
最低: 1
倍数: 1
: 5,000

MOSFETs Si SMD/SMT TSDSON-8-32 N-Channel
MACOM GTRB184402FC-V1-R0
MACOM GaN 场效应晶体管 480W, 48V, 1805-1880 MHz GaN-SiC HEMT
GaN FETs GaN-on-SiC
MACOM GTRB184402FC-V1-R2
MACOM GaN 场效应晶体管 480W, 48V, 1805-1880 MHz GaN-SiC HEMT
GaN FETs GaN-on-SiC