IMZA75R008M1HXKSA1

Infineon Technologies
726-IMZA75R008M1HXKS
IMZA75R008M1HXKSA1

制造商：

说明：
MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET

寿命周期:
NRND:
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数据表:
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Infineon
产品种类: MOSFET
交货限制:
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RoHS:  
SiC
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
750 V
163 A
10.6 mOhms
- 5 V, 23 V
5.6 V
178 nC
- 55 C
+ 175 C
517 W
Enhancement
CoolSiC
Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: AT
下降时间: 16 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 30 ns
系列: G2
工厂包装数量: 240
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 50 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
零件号别名: IMZA75R008M1HXKSA1 SP005970686
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已选择的属性: 0

数据表

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

CoolSiC™ 750V G1 MOSFET

英飞凌CoolSiC ™ 750V G1 MOSFET具有卓越的性能、可靠性和稳健性。 英飞凌CoolSiC 750V G1具有灵活的栅极驱动功能，可实现简化、经济高效的系统设计。 这些MOSFET可优化效率和功率密度。

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