Power MOS 8 MOSFET

结果: 23
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装

Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS8 1000 V 18 A TO-247
数据表
44库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 18 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 150 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS8 1200 V 4 A TO-220
数据表
812库存量
1,070在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 5 A 3.12 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 43 nC - 55 C + 150 C 225 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS8 1200 V 14 A TO-247
数据表
66库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 14 A 870 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 145 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET FREDFET MOS8 500 V 37 A TO-247
数据表
66库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 37 A 130 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 145 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS8 500 V 56 A TO-264
数据表
52库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 56 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 220 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS8 1000 V 8 A TO-247
数据表
67库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 8 A 1.53 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET FREDFET MOS8 800 V 22 A TO-247
数据表
72库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 23 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 150 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS8 1200 V 24 A TO-264
数据表
1库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 24 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 260 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET FREDFET MOS8 500 V 30 A TO-247
数据表
89库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 170 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 115 nC - 55 C + 150 C 415 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET FREDFET MOS8 1200 V 7 A TO-247
数据表
100库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7 A 1.57 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 80 nC - 55 C + 150 C 335 W Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS8 1000 V 37 A TO-264
数据表
35在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 37 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 305 nC - 55 C + 150 C 1.135 kW Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS8 1200 V 7 A TO-247
数据表
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 8 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 80 nC - 55 C + 150 C 335 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET FREDFET MOS8 1200 V 13 A TO-247
数据表
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 14 A 910 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 145 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET FREDFET MOS8 500 V 42 A TO-247
数据表
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 42 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 170 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS8 1000 V 14 A TO-247
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 kV 14 A 710 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 120 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Power MOS 8 Tube

Microchip Technology MOSFET FREDFET MOS8 1000 V 17 A TO-247
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 17 A 670 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 150 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET FREDFET MOS8 1200 V 26 A TO-247 MAX
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole T-MAX-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 27 A 480 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 300 nC - 55 C + 150 C 1.135 kW Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET FREDFET MOS8 1200 V 26 A TO-264
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1.2 kV 27 A 480 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 300 nC - 55 C + 150 C 1.135 kW Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS8 1200 V 28 A TO-264
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 29 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 300 nC - 55 C + 150 C 1.135 kW Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS8 500 V 56 A TO-247 MAX
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole T-MAX-3 N-Channel 1 Channel 500 V 56 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 220 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS8 600 V 56 A TO-247 MAX
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole T-MAX-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 90 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 280 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET FREDFET MOS8 600 V 66 A TO-247 MAX
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole T-MAX-3 N-Channel 600 V 70 A 75 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 330 nC - 55 C + 150 C 1.135 kW Enhancement Power MOS 8 Tube
Microchip Technology MOSFET MOSFET MOS8 600 V 66 A TO-247 MAX
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole T-MAX-3 N-Channel 1 Channel 600 V 70 A 75 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 330 nC - 55 C + 150 C 1.135 kW Enhancement Power MOS 8 Tube