Microchip 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 122
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
封装

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT NPT Low Frequency Single 1200 V 33 A TO-247
数据表
67库存量
86在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.7 V - 20 V, 20 V 52 A 297 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
数据表
22库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264MAX-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 30 V, 30 V 94 A 379 W - 55 C + 150 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 45 A TO-247 MAX
数据表
17库存量
30在途量
最低： 1
倍数： 1

Si T-Max-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.3 V - 30 V, 30 V 113 A 625 W - 55 C + 150 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 50 A TO-247
数据表
135库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.45 V - 30 V, 30 V 107 A 366 W - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 75 A SOT-227
数据表
27库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227-4 Screw Mount Single 1.2 kV 1.7 V - 30 V, 30 V 124 A 379 W - 55 C + 150 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Single 900 V 80 A TO-247
数据表
20库存量
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 900 V 2.5 V - 30 V, 30 V 145 A 625 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 150 A SOT-227
数据表
13库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227-4 Screw Mount Single 600 V 1.5 V 30 V 220 A 536 W - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 20 A TO-247
数据表
76库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 30 V, 30 V 40 A 136 W - 55 C + 175 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 25 A TO-247
数据表
3库存量
47在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.2 V - 30 V, 30 V 54 A 347 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
数据表
71库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.45 V - 30 V, 30 V 107 A 366 W - 55 C + 175 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT NPT Medium Frequency Single 1200 V 50 A TO-247 MAX
数据表
30库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 3.2 V - 30 V, 30 V 94 A 625 W - 55 C + 150 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Single 600 V 65 A TO-247 MAX
数据表
7库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 100 A 833 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APT13GP120BDQ1G
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 13 A TO-247
数据表
22库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 41 A 250 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APT27GA90BD15
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 27 A TO-247
数据表
123库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 900 V 2.5 V - 30 V, 30 V 48 A 223 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
数据表
357在途量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 600 V 1.45 V - 30 V, 30 V 155 A 536 W - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 80 A TO-264
数据表
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 30 V, 30 V 143 A 625 W - 55 C + 150 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 25 A TO-247
数据表
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 69 A 417 W - 55 C + 150 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
数据表
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.45 V - 30 V, 30 V 107 A 366 W - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology APT30GN60BDQ2G
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 30 A TO-247
数据表
80在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole Single 600 V 1.5 V - 30 V, 30 V 63 A 203 W - 55 C + 175 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 50 A TO-247 MAX
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole - 30 V, 30 V Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 100 A TO-247 MAX
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole - 30 V, 30 V Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-246
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 600 V 1.45 V - 30 V, 30 V 229 A 625 W - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 150 A SOT-227
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227-4 Screw Mount 600 V 1.5 V 30 V 220 A 536 W - 55 C + 175 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 200 A TO-247 MAX
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.45 V - 20 V, 20 V 283 A 682 W - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 20 A TO-268
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

D3PAK-3 SMD/SMT Single 600 V - 20 V, 20 V 40 A 136 W - 55 C + 175 C Tube