Microchip 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 122
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封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
封装
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 25 A TO-268 Tape & Reel
数据表
无库存
最低： 400
倍数： 400
: 400

D3PAK-3 SMD/SMT Single 1.2 kV - 20 V, 20 V 67 A 272 W - 55 C + 150 C Reel
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT NPT Low Frequency Combi 1200 V 33 A TO-264
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV - 20 V, 20 V 64 A 357 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 35 A TO-268
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si D3PAK-3 SMD/SMT Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 94 A 379 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 35 A TO-268 Tape & Reel
数据表
无库存
最低： 400
倍数： 400
: 400

D3PAK-3 SMD/SMT Single 1.2 kV - 20 V, 20 V 94 A 379 W - 55 C + 150 C Reel
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 35 A TO-247 MAX
数据表
无库存
最低： 40
倍数： 1

TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV - 20 V, 20 V 96 A 543 W - 55 C + 150 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 35 A TO-247 MAX
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole - 20 V, 20 V Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 43 A TO-247
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 900 V 2.5 V - 30 V, 30 V 78 A 337 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 45 A SOT-227
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227-4 Screw Mount Single 1.2 kV 3.3 V - 20 V, 20 V 75 A 329 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 45 A SOT-227
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount Single 1.2 kV 3.3 V - 30 V, 30 V 75 A 329 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT NPT Medium Frequency Single 1200 V 50 A TO-264
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.2 V - 30 V, 30 V 94 A 625 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT NPT Low Frequency Combi 1200 V 60 A SOT-227
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

SOT-227-4 Screw Mount Single 1.2 kV - 20 V, 20 V 100 A 520 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 64 A TO-264
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 900 V 2.5 V - 20 V, 20 V 117 A 500 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 75 A TO-247
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

TO-247-3 Through Hole Single 600 V - 20 V, 20 V 155 A 536 W - 55 C + 175 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 75 A TO-247 MAX
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si T-Max-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.3 V - 30 V, 30 V 100 A 1.042 kW - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 75 A SOT-227
数据表
无库存
最低： 20
倍数： 1

Si - 30 V, 30 V Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Single 600 V 80 A TO-247
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 143 A 625 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Single 900 V 80 A TO-268
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si D3PAK-3 SMD/SMT Single 900 V 2.5 V - 20 V, 20 V 145 A 625 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT MOS 8 1200 V 85 A SOT-227
数据表
无库存交货期 22 周
最低： 1
倍数： 1

Si SOT-227 Screw Mount Single 1.2 kV 3.5 V 30 V 118 A 595 W - 55 C + 150 C Tube

Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 65 A TO-264 MAX
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole - 30 V, 30 V Tube
Microchip Technology APT100GN60B2G
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 100 A TO-247 MAX
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si - 30 V, 30 V Tube
Microchip Technology APT102GA60B2
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Single 600 V 102 A TO-247 MAX
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si - 30 V, 30 V Tube
Microchip Technology APT102GA60L
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Single 600 V 102 A TO-264
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si - 30 V, 30 V Tube
Microchip Technology APT150GN60B2G
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 150 A TO-247 MAX
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

SiC TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.45 V 30 V 220 A 536 W - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology APT150GN60LDQ4G
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 150 A TO-264
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

SiC TO-264-3 Through Hole Single 600 V 1.45 V 30 V 220 A 536 W - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology APT15GN120SDQ1G
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 15 A TO-268
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si - 20 V, 20 V Tube