Microchip 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 122
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
封装
Microchip Technology APT64GA90B2D30
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 64 A TO-247 MAX
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si - 20 V, 20 V Tube
Microchip Technology APT68GA60B
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Single 600 V 68 A TO-247
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si - 30 V, 30 V Tube
Microchip Technology APT68GA60B2D40
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Combi 600 V 68 A TO-247 MAX
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si - 30 V, 30 V Tube
Microchip Technology APT70GR120B2
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT MOS 8 1200 V 70 A TO-247 MAX
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si - 30 V, 30 V Tube
Microchip Technology APT70GR120J
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT MOS 8 1200 V 70 A SOT-227
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si - 30 V, 30 V Tube
Microchip Technology APT70GR120JD60
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT MOS 8 1200 V 70 A SOT-227
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si Screw Mount Single 1.2 kV 3.5 V - 30 V, 30 V 112 A 543 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APT70GR120L
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT MOS 8 1200 V 70 A TO-264
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si - 30 V, 30 V Tube
Microchip Technology APT75GN120B2G
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 75 A TO-247 MAX
数据表
无库存
最低： 40
倍数： 1

Si - 30 V, 30 V Tube
Microchip Technology APT85GR120B2
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT MOS 8 1200 V 85 A TO-247 MAX
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V 30 V 170 A 962 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APT85GR120L
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT MOS 8 1200 V 85 A TO-264
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1

Si TO-264-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V 30 V 170 A 962 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APTGT150DA120G
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PM-IGBT-TFS-SP6C
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 8
倍数： 1

Tube
Microchip Technology APTGT75TDU120PG
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) PM-IGBT-TFS-SP6P
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 5
倍数： 1

Tube
Microchip Technology APT70GR65B
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT MOS 8 650 V 70 A TO-247
数据表
无库存
最低： 1
倍数： 1
否
Si - 30 V, 30 V Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 7 SiC Combi 1200 V 25 A TO-247
数据表

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 30 V 69 A 417 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 35 A TO-247 MAX
数据表

SiC T-Max-3 Through Hole Single 1.2 kV 30 V 543 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 43 A TO-247
数据表

SiC TO-247-3 Through Hole Single 900 V 30 V 78 A 337 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 46 A SOT-227
数据表

SiC SOT-227-4 Screw Mount Single 900 V 30 V 87 A 284 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT FAST Fieldstop Low Frequency Combii 1200 V 50 A TO-247
数据表

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV - 20 V, 20 V 119 A 492 W - 40 C + 175 C
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT FAST Fieldstop SiC Combi 1200 V 50 A TO-247
数据表

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV - 20 V, 20 V 119 A 492 W - 40 C + 175 C
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 64 A TO-247 MAX
数据表

SiC T-Max-3 Through Hole Single 900 V 30 V 117 A 500 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 75 A SOT-227
数据表

SiC SOT-227-4 Screw Mount Single 1.2 kV 20 V 128 A 543 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology 绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 80 A TO-247 MAX
数据表

SiC T-Max-3 Through Hole Single 900 V 30 V 145 A 625 W - 55 C + 150 C Tube