STMicroelectronics PowerMESH 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 6
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数量 RoHS ECAD模型 技术
封装 / 箱体
安装风格
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
集电极—射极饱和电压
栅极/发射极最大电压
在25 C的连续集电极电流
Pd-功率耗散
最小工作温度
最大工作温度
系列
资格
封装
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N-Ch Clamped 20 Amp
数据表
1,509库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 442 V 1.3 V - 12 V, 16 V 40 A 200 W - 55 C + 175 C STGB20NB41LZ AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel


STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT
数据表
产品评论
3,058库存量
最低： 1
倍数： 1

Si IPAK-3 Through Hole Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 15 A 62.5 W - 55 C + 150 C STGD6NC60H-1 Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N-Ch 600 Volt 7 Amp
数据表
1,783库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

Si TO-252-3 SMD/SMT Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 15 A 55 W - 65 C + 150 C STGD7NB60S Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT
数据表
3,004库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 1.2 V - 20 V, 20 V 15 A 25 W - 55 C + 150 C STGF7NB60SL Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N-CHANNEL IGBT
数据表
2,556库存量
最低： 1
倍数： 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.75 V - 25 V, 25 V 60 A 220 W - 55 C + 150 C STGW30NC120HD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N Ch 10A 600V
数据表
无库存交货期 14 周
最低： 2,500
倍数： 2,500
: 2,500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 600 V 1.9 V - 20 V, 20 V 20 A 60 W - 55 C + 150 C STGD10NC60H Reel