CoolSiC 系列 MOSFET模块

结果: 3
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
系列
封装
Infineon Technologies MOSFET模块 EasyDUAL module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC / TIM
数据表
18库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 200 A 6 mOhms - 10 V, + 23 V 5.15 V - 40 C + 175 C 20 mW CoolSiC Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
数据表
17库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount 1.2 kV 190 A 4.44 mOhms - 7 V, + 20 V, - 10 V, + 23 V 5.1 V - 40 C + 175 C CoolSiC Tray
Infineon Technologies MOSFET模块 CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V
数据表
51库存量
最低： 1
倍数： 1

SiC Screw Mount 1.2 kV 220 A 4.44 mOhms - 7 V, + 20 V, - 10 V, + 23 V 5.1 V - 40 C + 175 C CoolSiC Tray