STMicroelectronics MESH OVERLAY MOSFET

结果: 4
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 300 V, 280 mOhm typ., 10 A, STripFET II Power MOSFET
数据表
3,583库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 300 V 10 A 330 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 23 nC - 55 C + 175 C 103 W Enhancement AEC-Q101 MESH OVERLAY Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET 200V 0.15Ohm 15A N-Channel
数据表
2,722库存量
1,000在途量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 200 V 15 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MESH OVERLAY Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N Ch 200V 15A Pwr MOSFET
数据表
2,035库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 15 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MESH OVERLAY Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CHANNEL 200V 0.15 OHM - 15A
数据表
880库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 15 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MESH OVERLAY Tube