PSMNR70-30YLHX

Name: Nexperia PSMNR70-30YLHX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMNR70-30YLHX
Price: 6.24 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

771-PSMNR70-30YLHX

制造商编号：

PSMNR70-30YLHX

制造商：

Nexperia

说明：

MOSFET SOT669 N-CH 30V 300A

数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Nexperia
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	LFPAK-56-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	300 A
Rds On-漏源导通电阻:	820 uOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.2 V
Qg-栅极电荷:	157 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	268 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
商标:	Nexperia
配置:	Single
组装国:	Not Available
扩散国家:	Not Available
原产国:	MY
产品类型:	MOSFETs
工厂包装数量:	1500
子类别:	Transistors
零件号别名:	934660105115
单位重量:	82.240 mg

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USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

PSMN N通道30V MOSFET

Nexperia PSMN N通道30V MOSFET采用NextPowerS3技术和LFPAK封装，具有低R_DSon和低I_DSS漏电流。由于采用LFPAK封装，因此这些器件具有高可靠性，可在175°C温度下工作。这些MOSFET具有极为出色的安全工作区 (SOA)。这些PSMN MOSFET在25°C时的漏电流低于1μA，针对4.5V栅极驱动进行了优化。这些MOSFET具有-55°C至175°C的结温范围和储存温度范围。这些PSMN MOSFET非常适合用于热插拔、电源OR-ing、电池保护、有刷和无刷直流电机控制，以及交流-直流和直流-直流应用中的同步整流。