4404 MOSFET

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 5,482库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 180 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 275 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 无库存交货期 36 周
最低: 5,000
倍数: 5,000
: 5,000

Si 30 V 60 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12 nC AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 无库存交货期 36 周
最低: 5,000
倍数: 5,000
: 5,000

Si 30 V 60 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 12 nC Reel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 192库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 180 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 275 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 60V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3 无库存交货期 11 周
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 180 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 275 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel
Infineon Technologies BSC0580NSATMA1
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET 15V-30V

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 30 V 186 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 39 nC - 55 C + 150 C 69 W Enhancement Reel