SI4825DDY-T1-GE3

Vishay Semiconductors
781-SI4825DDY-GE3
SI4825DDY-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8

数据表:
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封装:
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥11.9893 ¥11.99
¥7.5823 ¥75.82
¥5.0511 ¥505.11
¥3.9437 ¥1,971.85
¥3.5934 ¥3,593.40
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥3.2431 ¥8,107.75
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
P-Channel
1 Channel
30 V
14.9 A
12.5 mOhms
- 25 V, 25 V
1.4 V
57 nC
- 55 C
+ 150 C
5 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
组装国: Not Available
扩散国家: Not Available
原产国: CN
下降时间: 9 ns
正向跨导 - 最小值: 28 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 12 ns
系列: SI4
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
零件号别名: SI4825DDY-GE3
单位重量: 750 mg
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Si4 MOSFET

Vishay/Siliconix Si4 MOSFET是TrenchFET®功率MOSFET，用于放大电子信号。 这些Si4 MOSFET有N沟道、P沟道以及N和P沟道可供选择。 Si4 MOSFET具有不同的VGS、 VDS和温度范围。 该Si4 MOSFET以增强模式工作，用于在电子信号之间进行切换。 这些MOSFET为表面贴装，100%经过Rg 和 UIS测试，采用卷带封装。
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