6341 MOSFET

结果: 8
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
onsemi MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES 7,333库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-363-6 P-Channel 1 Channel 30 V 5 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 10 nC - 55 C + 150 C 1.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES 2,682库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-26-6 P-Channel 1 Channel 30 V 5 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 10 nC - 55 C + 150 C 1.6 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET PCH 4V DRIVE SERIES 2,965库存量
最低: 1
倍数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-26-6 P-Channel 1 Channel Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET NX3008CBKV/SOT666/SOT6 7,371库存量
最低: 1
倍数: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-666-6 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 400 mA 1 Ohms, 2.8 Ohms - 8 V, 8 V 900 mV 170 pC, 230 pC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 348库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 237 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 712库存量
最低: 1
倍数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 237 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement CoolMOS Tube
Nexperia MOSFET PMZ1000UN/SOT883/XQFN3 无库存交货期 53 周
最低: 1
倍数: 1
: 10,000

Si SMD/SMT DFN-1006-3 N-Channel 1 Channel 30 V 480 mA 1 Ohms - 8 V, 8 V 450 mV 890 pC - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diotec Semiconductor MOSFET MOSFET, SOT-363, -30V, -5A, 150C, P

Si Reel, Cut Tape