CSD17559Q5 系列 MOSFET

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Texas Instruments MOSFET 30V N Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1755 A 595-CSD17559Q5T
数据表
2,500库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 1.4 V 39 nC - 55 C + 150 C 3.2 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1755 A 595-CSD17559Q5
数据表
241库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 250

Si SMD/SMT VSON-CLIP-8 N-Channel 1 Channel 30 V 100 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 1.2 V 51 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel