CSD88537ND 系列 MOSFET

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Texas Instruments MOSFET 60-V Dual N-Channel Power MOSFET A 595-C A 595-CSD88537NDT
数据表
8,548库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 16 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments MOSFET 60V Dual NCh NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD A 595-CSD88537ND
数据表
141库存量
更多信息可用
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 250

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 60 V 16 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.1 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel