IXFT15N100 系列 MOSFET

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A
数据表
16库存量
最低： 1
倍数： 1
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 15 A 1.05 Ohms - 30 V, 30 V 3.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 690 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 15 Amps 1000V 0.725 Rds
数据表
无库存
最低： 30
倍数： 30
Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 15 A 700 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HyperFET Tube