IXTP1N100 系列 MOSFET

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
封装
IXYS MOSFET 1 Amps 1000V 14 Rds
数据表
400库存量
400在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.2 A 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Tube
IXYS MOSFET 1.5 Amps 1000V 11 Rds
数据表
无库存交货期 38 周
最低： 300
倍数： 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 1.5 A 11 Ohms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube