Linear L2 MOSFET

结果: 30
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装

IXYS MOSFET 40 Amps 500V
数据表
510库存量
740在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 40 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 320 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A
数据表
282库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 110 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 500 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFET 40 Amps 500V
数据表
378库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 500 V 40 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 320 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFET TO247 N-CH 75V 140A
数据表
26库存量
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 140 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 275 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS MOSFET 30 Amps 600V
数据表
3,780库存量
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 335 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFET 60 Amps 500V
数据表
685库存量
1,098在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 60 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 610 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS MOSFET L2 Linear Power MOSFET
数据表
1,100库存量
2,880在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 540 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFET TO263 500V 15A N-CH LINEAR
数据表
378库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 15 A 480 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 123 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS MOSFET 30.0 Amps 500V 0.002 Rds
数据表
266库存量
300在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 30 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 240 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A
数据表
224库存量
300在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 255 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFET L2 Linear Power MOSFET
数据表
123库存量
1,525在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 540 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A
数据表
641库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 15 A 480 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 123 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFET 90 Amps 250V
数据表
248库存量
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 250 V 90 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 640 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS MOSFET TO247 100V 64A N-CH LINEAR
数据表
119库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 64 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS MOSFET TO247 N-CH 75V 80A
数据表
22库存量
600在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 80 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 103 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFET 90 Amps 250V
数据表
49库存量
393在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 90 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 640 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFET TO220 N-CH 75V 80A
数据表
174库存量
100在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 80 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 103 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A
数据表
15库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 200 V 60 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 255 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A
数据表
1,175在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 110 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 500 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFET TO263 250V 30A N-CH LINEAR
数据表
50在途量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 250 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 355 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFET 30 Amps 600V
数据表
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 335 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement Linear L2 Tube

IXYS MOSFET 60 Amps 500V
数据表
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 60 A 100 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 610 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFET IXTA15N50L2 TRL
数据表
无库存交货期 27 周
最低： 800
倍数： 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 15 A 480 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 123 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Linear L2 Reel
IXYS MOSFET IXTA64N10L2 TRL
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 800
倍数： 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 64 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Linear L2 Reel
IXYS MOSFET IXTA80N075L2 TRL
数据表
无库存交货期 26 周
最低： 800
倍数： 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 75 V 80 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 103 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Linear L2 Reel