PolarP MOSFET

结果: 22
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 制造商
描述 数据表 供货情况 单价（含13%增值税） 根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。
数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装

IXYS MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
数据表
306库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 P-Channel 1 Channel 100 V 52 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarP Tube
IXYS MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
数据表
329库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 100 V 52 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarP Tube
IXYS MOSFET TO263 500V 10A P-CH POLAR
数据表
3,772库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 500 V 10 A 1 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarP Reel, Cut Tape, MouseReel
IXYS MOSFET IXTA26P20P TRL
数据表
3,643库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 200 V 26 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement PolarP Reel, Cut Tape, MouseReel
IXYS MOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
数据表
425库存量
400在途量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 150 V 36 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarP Tube
IXYS MOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
数据表
753库存量
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 150 V 36 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarP Reel, Cut Tape, MouseReel

IXYS MOSFET -16.0 Amps -600V 0.720 Rds
数据表
340库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 P-Channel 1 Channel 600 V 16 A 720 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 92 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement PolarP Tube
IXYS MOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds
数据表
783库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-264-3 P-Channel 1 Channel 600 V 32 A 350 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 196 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement PolarP Tube
IXYS MOSFET -16.0 Amps -600V 0.720 Rds
数据表
398库存量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) P-Channel 1 Channel 600 V 16 A 720 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 92 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement PolarP Tube

IXYS MOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds
数据表
328库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 P-Channel 1 Channel 600 V 32 A 350 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 196 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement PolarP Tube

IXYS MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds
数据表
330库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 P-Channel 1 Channel 500 V 40 A 230 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 205 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement PolarP Tube

IXYS MOSFET -90.0 Amps -200V 0.044 Rds
数据表
240库存量
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 P-Channel 1 Channel 200 V 90 A 44 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 205 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement PolarP Tube
IXYS MOSFET IXTA52P10P TRL
数据表
247库存量
最低： 1
倍数： 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) P-Channel 1 Channel 100 V 52 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 60 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarP Reel, Cut Tape

IXYS MOSFET -48.0 Amps -200V 0.085 Rds
数据表
8库存量
300在途量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 P-Channel 1 Channel 200 V 48 A 85 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 103 nC - 55 C + 150 C 462 W Enhancement PolarP Tube
IXYS MOSFET -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
数据表
178库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 150 V 36 A 110 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarP Tube
IXYS MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
数据表
578库存量
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 P-Channel 1 Channel 100 V 52 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarP Tube
IXYS MOSFET -20.0 Amps -500V 0.450 Rds
数据表
15库存量
750在途量
最低： 1
倍数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) P-Channel 1 Channel 500 V 20 A 450 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 103 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement PolarP Tube
IXYS MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
数据表
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-220-3 P-Channel 1 Channel 500 V 10 A 1 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 50 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement PolarP Tube

IXYS MOSFET -108.0 Amps -100V 0.013 Rds
数据表
更多信息可用
最低： 1
倍数： 1

Si Through Hole TO-247-3 P-Channel 1 Channel 100 V 108 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 240 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement PolarP Tube

IXYS MOSFET -10.0 Amps -600V 0.790 Rds
数据表
无库存交货期 37 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 P-Channel 600 V 10 A 790 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 92 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement PolarP Tube

IXYS MOSFET -18 Amps -600V 0.385 Rds
数据表
无库存交货期 46 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 P-Channel 1 Channel 600 V 18 A 385 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 196 nC - 55 C + 150 C 310 W Enhancement PolarP Tube

IXYS MOSFET -90.0 Amps -200V 0.048 Rds
数据表
无库存交货期 37 周
最低： 300
倍数： 30

Si Through Hole TO-247-3 P-Channel 1 Channel 200 V 53 A 48 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 205 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement PolarP Tube