Diotec Semiconductor 碳化硅MOSFET

结果: 20
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数量 RoHS ECAD模型 安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名


Diotec Semiconductor 碳化硅MOSFET 650V TO-247-4L, N, 150A, 650V, 20m?, 175DegC
数据表
450库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 150 A 20 mOhms - 5 V, + 18 V 4 V 236 nC - 55 C + 175 C 550 W Enhancement DIF065SIC020
Diotec Semiconductor 碳化硅MOSFET 650V TO-247-4L, N, 105A, 650V, 30m?, 175°C
数据表
450库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 105 A 30 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 145 nC - 55 C + 175 C Enhancement DIF065SIC030
Diotec Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175 Deg C
数据表
438库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 120 A 22.3 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 269 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement DIF120SIC022
Diotec Semiconductor 碳化硅MOSFET
数据表
446库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 118 A 28 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V 373 nC - 55 C + 175 C 715 W Enhancement DIF120SIC028
Diotec Semiconductor 碳化硅MOSFET
数据表
445库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement DIF120SIC053
Diotec Semiconductor 碳化硅MOSFET SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 150A, 650V, 15m?, 175DegC
数据表
450库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 150 A 15 mOhms - 4 V, + 15 V 4 V 236 nC - 55 C + 175 C 550 W Enhancement DIW065SIC015
Diotec Semiconductor 碳化硅MOSFET
数据表
450库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 49 mOhms - 5 V, + 18 V 4 V 128 nC - 55 C + 175 C 550 W Enhancement DIW065SIC049
Diotec Semiconductor 碳化硅MOSFET
数据表
447库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 80 mOhms - 5 V, + 18 V 4 V 75 nC - 55 C + 175 C 175 W Enhancement DIW065SIC080
Diotec Semiconductor 碳化硅MOSFET
数据表
440库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 118 A 28 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V 373 nC - 55 C + 175 C 715 W Enhancement DIW120SIC028
Diotec Semiconductor 碳化硅MOSFET
数据表
445库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 67 A 49 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 179 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement DIW170SIC049
Diotec Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175DegC
数据表
408库存量
480在途量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 70 A 22.3 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V 80 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement DIW170SIC070
Diotec Semiconductor 碳化硅MOSFET SiC MOSFET, TO-247-4L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
数据表
450库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 120 A 22.3 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 269 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement DIF120SIC022-AQ
Diotec Semiconductor 碳化硅MOSFET
数据表
448库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Diotec Semiconductor 碳化硅MOSFET SiC MOSFET, TO-247-3L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
数据表
448库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 120 A 22.3 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 269 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement DIW120SIC022-AQ
Diotec Semiconductor 碳化硅MOSFET
数据表
707库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 125 A 23 mOhms - 4 V, + 18 V 2.9 V 121 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Diotec Semiconductor 碳化硅MOSFET
数据表
445库存量
最低： 1
倍数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Diotec Semiconductor 碳化硅MOSFET TO-263-7L, N, 7A, 1700V, 850m?, 150C
数据表

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 7 A 850 mOhms - 5 V, 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 62 W Enhancement
Diotec Semiconductor 碳化硅MOSFET SiC MOSFET, TO-247-4L, N, 67A, 1700V, 49m, 175C
数据表
Diotec Semiconductor 碳化硅MOSFET SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 120A, 1200V, 22.3m, 175C,
数据表
Diotec Semiconductor 碳化硅MOSFET TO-247-3L, N, 7.5A, 1700V, 850m?, 175C
数据表